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NTMYS7D3N04CLTWG_null
NTMYS7D3N04CLTWG
授权代理品牌

MOSFET N-CH 40V 17A/52A 4LFPAK

+1:

¥25.995975

+200:

¥10.064016

+500:

¥9.714343

+1000:

¥9.539507

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17A(Ta),52A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.3 毫欧 10A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 30µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 16 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 860 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.8W(Ta),38W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: LFPAK4(5x6)

封装/外壳: SOT-1023,4-LFPAK

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NTMYS7D3N04CLTWG_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+3000:

¥20.604105

+6000:

¥19.829486

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17A(Ta),52A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.3 毫欧 10A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 30µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 16 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 860 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.8W(Ta),38W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: LFPAK4(5x6)

封装/外壳: SOT-1023,4-LFPAK

温度: -55°C # 175°C(TJ)

NTMYS7D3N04CLTWG_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥40.990765

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¥36.864543

+100:

¥30.209651

+500:

¥25.716413

+1000:

¥21.688459

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-1023, 4-LFPAK

供应商器件封装: 4-LFPAK

NTMYS7D3N04CLTWG_晶体管-FET,MOSFET-单个
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+10:

¥36.864543

+100:

¥30.209651

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¥25.716413

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¥21.688459

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-1023, 4-LFPAK

供应商器件封装: 4-LFPAK

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NTMYS7D3N04CLTWG_未分类
NTMYS7D3N04CLTWG
授权代理品牌

MOSFET N-CH 40V 17A/52A 4LFPAK

未分类

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¥42.359358

+10:

¥38.151474

+25:

¥36.047533

+100:

¥31.278599

+500:

¥26.509664

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 3000

NTMYS7D3N04CLTWG参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17A(Ta),52A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.3 毫欧 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 30µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 16 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 860 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.8W(Ta),38W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: LFPAK4(5x6)
封装/外壳: SOT-1023,4-LFPAK
温度: -55°C # 175°C(TJ)