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NST847BPDP6T5G_双极晶体管预偏置
NST847BPDP6T5G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT963

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双极晶体管预偏置
+1：

￥1.29107

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￥1.09747

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￥0.742335

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN，PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 600mV 5mA， 100mA， 700mV 5mA， 100mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 15nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 2mA，5V / 220 2mA，5V

功率 - 最大值： 350mW

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-963

供应商器件封装： SOT-963

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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NST847BPDP6T5G_null
NST847BPDP6T5G
ON(安森美)
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TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT963
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￥0.604506

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￥0.233936

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￥0.225715

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￥0.221653

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN，PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 600mV 5mA， 100mA， 700mV 5mA， 100mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 15nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 2mA，5V / 220 2mA，5V

功率 - 最大值： 350mW

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-963

供应商器件封装： SOT-963

温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营 国内现货
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NST847BPDP6T5G_双极晶体管预偏置
NST847BPDP6T5G
ON(安森美)
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TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT963

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双极晶体管预偏置
+8000：

￥0.394285

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￥0.341003

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+56000：

￥0.277065

+200000：

￥0.27278

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN，PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 600mV 5mA， 100mA， 700mV 5mA， 100mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 15nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 2mA，5V / 220 2mA，5V

功率 - 最大值： 350mW

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-963

供应商器件封装： SOT-963

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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NST847BPDP6T5G_双极晶体管预偏置
NST847BPDP6T5G
ON(安森美)
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TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT963

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双极晶体管预偏置
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￥0.964526

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￥0.834185

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￥0.8186

+56000：

￥0.677775

+200000：

￥0.667292

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货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN，PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 45V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 600mV 5mA， 100mA， 700mV 5mA， 100mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 15nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 2mA，5V / 220 2mA，5V

功率 - 最大值： 350mW

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-963

供应商器件封装： SOT-963

温度： -55°C # 150°C（TJ）

NST847BPDP6T5G_双极晶体管预偏置
NST847BPDP6T5G
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TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT963

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双极晶体管预偏置
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￥5.667017

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￥4.165258

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￥3.649559

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￥1.980623

+250：

￥1.97099

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳： SOT-963

供应商器件封装： SOT-963

NST847BPDP6T5G_双极晶体管预偏置
NST847BPDP6T5G
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双极晶体管预偏置
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货期：7~10 天

系列： -

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳： SOT-963

供应商器件封装： SOT-963

Mouser
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NST847BPDP6T5G_晶体管
NST847BPDP6T5G
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晶体管
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￥6.154743

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￥4.535074

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￥1.9598

+1000：

￥1.360523

+2500：

￥1.279539

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货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOT-963-6

系列： NST847BPDP6T5G

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： NPN, PNP

配置： Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO： 45 V, - 45 V

集电极—基极电压 VCBO： 50 V, - 50 V

发射极 - 基极电压 VEBO： 6 V, - 5 V

集电极—射极饱和电压： 600 mV, - 700 mV

最大直流电集电极电流： 100 mA, - 100 mA

Pd-功率耗散： 420 mW

增益带宽产品fT： 100 MHz

商标： onsemi

直流集电极/Base Gain hfe Min： 200 at 2 mA, 5 V at NPN, 220 at 2 mA, 5 V at PNP

直流电流增益 hFE 最大值： 200 at 2 mA, 5 V

高度： 0.37 mm

长度： 1 mm

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

宽度： 0.8 mm

单位重量： 1.190 mg

温度： - 55 C~+ 150 C

NST847BPDP6T5G_未分类
NST847BPDP6T5G
Diodes Incorporated(美台)
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雙極結晶體管 - BJT

未分类
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艾睿
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NST847BPDP6T5G_未分类
NST847BPDP6T5G
ON Semiconductor
授权代理品牌

Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 420mW 6-Pin SOT-963 T/R

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￥5.114

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￥3.732633

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￥3.692413

+100：

￥1.582462

+250：

￥1.566995

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货期：7~10 天

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NST847BPDP6T5G_未分类
NST847BPDP6T5G
onsemi(安森美)
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Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 420mW 6-Pin SOT-963 T/R

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+101：

￥0.934431

+250：

￥0.925297

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￥0.911595

+1000：

￥0.607426

+3000：

￥0.583676

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货期：7~10 天

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NST847BPDP6T5G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN，PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 45V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 600mV 5mA， 100mA， 700mV 5mA， 100mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 200 2mA，5V / 220 2mA，5V
功率 - 最大值: 350mW
频率 - 跃迁: 100MHz
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-963
供应商器件封装: SOT-963
温度: -55°C # 150°C（TJ）