NTHL020N090SC1厂家价格_数据手册

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTHL020N090SC1 ON(安森美) 授权代理品牌	SIC MOS TO247-3L 20MOHM 9 下载数据手册未分类	+1：￥147.048272 +30：￥140.546547	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）： 900 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 118A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 60A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.3V 20mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 196 nC 15 V Vgs（最大值）： +19V，-10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4415 pF 450 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 503W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTHL020N090SC1 ON(安森美) 授权代理品牌	SIC MOS TO247-3L 20MOHM 9 下载数据手册未分类	+10：￥274.289315 +25：￥267.439692 +100：￥259.2399	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	NTHL020N090SC1 ON(安森美) 授权代理品牌	SIC MOS TO247-3L 20MOHM 9 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）： 900 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 118A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 60A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.3V 20mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 196 nC 15 V Vgs（最大值）： +19V，-10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4415 pF 450 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 503W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	NTHL020N090SC1 ON(安森美) 授权代理品牌	SIC MOS TO247-3L 20MOHM 9 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥183.416753 +10：￥169.140709 +100：￥144.433019	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）： 900 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 118A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 60A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.3V 20mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 196 nC 15 V Vgs（最大值）： +19V，-10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4415 pF 450 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 503W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTHL020N090SC1 ON(安森美) 授权代理品牌	SIC MOS TO247-3L 20MOHM 9 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥448.685976 +10：￥413.762992 +100：￥353.321435	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）： 900 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 118A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 60A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.3V 20mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 196 nC 15 V Vgs（最大值）： +19V，-10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4415 pF 450 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 503W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	NTHL020N090SC1 ON(安森美) 授权代理品牌	SICFET N-CH 900V 118A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥391.908537 +30：￥324.947328 +120：￥304.63995 +510：￥259.959092	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-247-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： SiCFET (Silicon Carbide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 118A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 28mOhm @ 60A, 15V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 503W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.3V @ 20mA Supplier Device Package： TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 15V Vgs (Max)： +19V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss)： 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 196 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 4415 pF @ 450 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTHL020N090SC1 ON(安森美) 授权代理品牌	SIC MOS TO247-3L 20MOHM 9 下载数据手册未分类	+1：￥448.010339 +10：￥398.195118 +25：￥383.332216 +50：￥376.9624 +100：￥348.216568	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 30

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTHL020N090SC1 ON Semiconductor 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+450：￥292.635218	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTHL020N090SC1 onsemi(安森美) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 900V, 118A, 175度 C, 503W 下载数据手册未分类	+1：￥268.590509 +5：￥262.17804	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTHL020N090SC1 onsemi(安森美) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 900V, 118A, 175DEG C, 503W 下载数据手册未分类	+1：￥259.131267	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NTHL020N090SC1参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）:	900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	118A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	28 毫欧 60A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.3V 20mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	196 nC 15 V
Vgs（最大值）:	+19V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4415 pF 450 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	503W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247-3
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）