NVMFD6H852NLT1G厂家价格_数据手册

搜索 NVMFD6H852NLT1G 共 8 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFD6H852NLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.3748 +10：￥9.5832 +30：￥7.986	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Ta），25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25.5 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 26µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 521 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），38W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFD6H852NLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL 下载数据手册未分类	+1：￥6.04278 +10：￥4.993762 +30：￥4.480181 +100：￥3.955672 +500：￥3.649708	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Ta），25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25.5 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 26µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 521 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），38W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFD6H852NLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥2.95969 +3000：￥2.786222 +7500：￥2.65357 +10500：￥2.531063	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Ta），25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25.5 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 26µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 521 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），38W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NVMFD6H852NLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥7.240185 +3000：￥6.815835 +7500：￥6.491334 +10500：￥6.191649	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Ta），25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25.5 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 26µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 521 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），38W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
NVMFD6H852NLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.54606 +10：￥13.479333 +100：￥10.485353 +500：￥8.888085	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
NVMFD6H852NLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.54606 +10：￥13.479333 +100：￥10.485353 +500：￥8.888085	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFD6H852NLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL 下载数据手册未分类	+1：￥18.914547 +10：￥14.903358 +100：￥11.919426 +500：￥10.174722 +1000：￥9.473579	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 1500

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFD6H852NLT1G ON Semiconductor 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 80V 7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R 下载数据手册未分类	+1500：￥7.394013	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NVMFD6H852NLT1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7A（Ta），25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	25.5 毫欧 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 26µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	10 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	521 pF 40 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.2W（Ta），38W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）