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NDT452AP_晶体管-FET，MOSFET-单个
NDT452AP
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥6.938816

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￥5.80238

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￥5.179526

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 65 毫欧 5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 690 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3W（Ta）

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-223-4

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

温度： -65°C # 150°C（TJ）

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NDT452AP_未分类
NDT452AP
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4

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未分类
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￥10.83679

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￥8.534739

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￥7.053069

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￥5.644913

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￥5.204055

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NDT452AP_未分类
NDT452AP
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4

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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 65 毫欧 5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 690 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3W（Ta）

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-223-4

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

温度： -65°C # 150°C（TJ）

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NDT452AP
UMW(友台半导体)
授权代理品牌

NDT452AP UMW/友台半导体

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自营 国内现货
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NDT452AP_晶体管-FET，MOSFET-单个
NDT452AP
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￥2.396923

+8000：

￥2.282727

+12000：

￥2.177412

+28000：

￥2.173222

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 65 毫欧 5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 690 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3W（Ta）

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-223-4

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

温度： -65°C # 150°C（TJ）

NDT452AP_晶体管-FET，MOSFET-单个
NDT452AP
ON Semiconductor
授权代理品牌

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5

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晶体管-FET，MOSFET-单个
+4000：

￥2.396923

+8000：

￥2.282727

+12000：

￥2.177412

+28000：

￥2.173222

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 65 毫欧 5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 690 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3W（Ta）

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-223-4

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

温度： -65°C # 150°C（TJ）

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图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NDT452AP_晶体管-FET，MOSFET-单个
NDT452AP
ON(安森美)
授权代理品牌
+4000：

￥5.780896

+8000：

￥5.386192

+12000：

￥5.316276

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 65 毫欧 5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 690 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3W（Ta）

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-223-4

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

温度： -65°C # 150°C（TJ）

NDT452AP_晶体管-FET，MOSFET-单个
NDT452AP
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥22.64198

+10：

￥14.334821

+100：

￥9.53411

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￥7.437281

+1000：

￥6.618189

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： -65°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223-4

NDT452AP_晶体管-FET，MOSFET-单个
NDT452AP
ON(安森美)
授权代理品牌
+1：

￥22.64198

+10：

￥14.334821

+100：

￥9.53411

+500：

￥7.437281

+1000：

￥6.618189

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： -65°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223-4

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NDT452AP
ON Semiconductor
授权代理品牌

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5

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货期：7~10 天

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-261-4, TO-261AA

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -65°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 65mOhm @ 5A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 3W (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.8V @ 250µA

Supplier Device Package： SOT-223-4

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 30 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 690 pF @ 15 V

NDT452AP参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 65 毫欧 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.8V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 30 nC 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 690 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3W（Ta）
工作温度: -65°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-223-4
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
温度: -65°C # 150°C（TJ）