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NSVDTC123JET1G_未分类
NSVDTC123JET1G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS NPN 50V 0.1A SC75

未分类
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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 1mA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 200 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-75，SOT-416

供应商器件封装： SC-75，SOT-416

温度：

自营 国内现货
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NSVDTC123JET1G_双极晶体管
NSVDTC123JET1G
ON(安森美)
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TRANS NPN 50V 0.1A SC75

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双极晶体管
+6000：

￥0.364633

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 1mA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 200 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-75，SOT-416

供应商器件封装： SC-75，SOT-416

温度：

Digi-Key
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NSVDTC123JET1G_双极晶体管
NSVDTC123JET1G
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TRANS NPN 50V 0.1A SC75

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双极晶体管
+6000：

￥0.891989

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 1mA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 200 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-75，SOT-416

供应商器件封装： SC-75，SOT-416

温度：

NSVDTC123JET1G_未分类
NSVDTC123JET1G
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TRANS NPN 50V 0.1A SC75

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未分类
+3000：

￥0.947125

+6000：

￥0.878544

+9000：

￥0.728526

+30000：

￥0.715809

+75000：

￥0.642942

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： SC-75, SOT-416

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： NPN - Pre-Biased

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 250mV @ 1mA, 10mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 500nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 80 @ 5mA, 10V

Supplier Device Package： SC-75, SOT-416

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 100 mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 50 V

Power - Max： 200 mW

Resistor - Base (R1)： 2.2 kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)： 47 kOhms

NSVDTC123JET1G_未分类
NSVDTC123JET1G
ON(安森美)
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TRANS NPN 50V 0.1A SC75

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未分类
+1：

￥5.57216

+10：

￥3.857648

+100：

￥1.885962

+500：

￥1.57278

+1000：

￥1.092859

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： SC-75, SOT-416

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： NPN - Pre-Biased

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 250mV @ 1mA, 10mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 500nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 80 @ 5mA, 10V

Supplier Device Package： SC-75, SOT-416

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 100 mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 50 V

Power - Max： 200 mW

Resistor - Base (R1)： 2.2 kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)： 47 kOhms

NSVDTC123JET1G_未分类
NSVDTC123JET1G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS NPN 50V 0.1A SC75

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未分类
+1：

￥5.57216

+10：

￥3.857648

+100：

￥1.885962

+500：

￥1.57278

+1000：

￥1.092859

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： SC-75, SOT-416

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： NPN - Pre-Biased

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 250mV @ 1mA, 10mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 500nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 80 @ 5mA, 10V

Supplier Device Package： SC-75, SOT-416

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 100 mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 50 V

Power - Max： 200 mW

Resistor - Base (R1)： 2.2 kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)： 47 kOhms

Mouser
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NSVDTC123JET1G_晶体管
NSVDTC123JET1G
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TRANS NPN 50V 0.1A SC75

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晶体管
+1：

￥6.369816

+10：

￥4.409872

+100：

￥1.812947

+1000：

￥1.257631

+3000：

￥0.979972

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： *

系列： DTC123J

产品种类： 双极晶体管 - 预偏置

商标： onsemi

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

资格： AEC-Q101

单位重量： 1.275 mg

温度： ~

NSVDTC123JET1G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 50 V
电阻器 - 基极 (R1): 2.2 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 80 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 250mV 1mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 500nA
频率 - 跃迁: -
功率 - 最大值: 200 mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-75，SOT-416
供应商器件封装: SC-75，SOT-416
温度: