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| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| 授权代理品牌 | +3000： ￥5.274358 +6000： ￥4.905201 +9000： ￥4.812645 | ||||
| 授权代理品牌 | +1： ￥19.582254 +10： ￥12.43779 +100： ￥8.513692 +500： ￥6.650012 +1000： ￥6.050306 | 系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-PowerWDFN 供应商器件封装： 6-PQFN (2x2) | |||
| 授权代理品牌 | +1： ￥19.582254 +10： ￥12.43779 +100： ￥8.513692 +500： ￥6.650012 +1000： ￥6.050306 | 系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-PowerWDFN 供应商器件封装： 6-PQFN (2x2) |
Mouser
艾睿
NTLJS3D0N02P8ZTAG参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 12.1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 3.8mOhm 10A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1.2V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 21 nC 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2165 pF 10 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 860mW（Ta） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 6-PQFN（2x2） |
| 封装/外壳: | 6-PowerWDFN |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |