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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NSVDTA123JM3T5G_双极晶体管
NSVDTA123JM3T5G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS SS SOT723 BR XSTR PNP

双极晶体管
+8000：

￥0.327125

+16000：

￥0.271273

+24000：

￥0.266492

+56000：

￥0.239383

+200000：

￥0.207434

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 300µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 260 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-723

供应商器件封装： SOT-723

温度：

Digi-Key
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NSVDTA123JM3T5G_双极晶体管
NSVDTA123JM3T5G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS SS SOT723 BR XSTR PNP

双极晶体管
+8000：

￥0.800234

+16000：

￥0.663606

+24000：

￥0.65191

+56000：

￥0.585594

+200000：

￥0.507438

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 300µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 260 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-723

供应商器件封装： SOT-723

温度：

NSVDTA123JM3T5G_未分类
NSVDTA123JM3T5G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723

未分类
+16000：

￥0.570474

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Bulk

Package / Case： SOT-723

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： PNP - Pre-Biased

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 250mV @ 300µA, 10mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 500nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 80 @ 5mA, 10V

Supplier Device Package： SOT-723

Grade： Automotive

Current - Collector (Ic) (Max)： 100 mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 50 V

Power - Max： 260 mW

Resistor - Base (R1)： 2.2 kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)： 47 kOhms

Qualification： AEC-Q101

NSVDTA123JM3T5G_未分类
NSVDTA123JM3T5G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723

未分类
+7672：

￥0.570474

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Bulk

Package / Case： SOT-723

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： PNP - Pre-Biased

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 250mV @ 300µA, 10mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 500nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 80 @ 5mA, 10V

Supplier Device Package： SOT-723

Grade： Automotive

Current - Collector (Ic) (Max)： 100 mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 50 V

Power - Max： 260 mW

Resistor - Base (R1)： 2.2 kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)： 47 kOhms

Qualification： AEC-Q101

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NSVDTA123JM3T5G_晶体管
NSVDTA123JM3T5G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS SS SOT723 BR XSTR PNP

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晶体管
+1：

￥5.706182

+10：

￥4.010633

+100：

￥2.527025

+1000：

￥1.124933

+2500：

￥0.978203

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOT-723-3

系列： DTA123J

产品种类： 双极晶体管 - 预偏置

配置： Single

晶体管极性： PNP

典型输入电阻器： 2.2 kOhms

典型电阻器比率： 0.047

安装风格： SMD/SMT

直流集电极/Base Gain hfe Min： 80

集电极连续电流： 100 mA

Pd-功率耗散： 600 mW

商标： onsemi

最大直流电集电极电流： 100 mA

输出电压： 0.2 VDC, 4.9 VDC

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

资格： AEC-Q101

温度： - 55 C~+ 150 C

NSVDTA123JM3T5G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 50 V
电阻器 - 基极 (R1): 2.2 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 80 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 250mV 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 500nA
频率 - 跃迁: -
功率 - 最大值: 260 mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-723
供应商器件封装: SOT-723
温度: