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NSVF5488SKT3G_null
NSVF5488SKT3G
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BIP NPN 70MA 10V FT=7G

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¥1.610977

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¥0.623491

+500:

¥0.60153

+1000:

¥0.590709

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电压 - 集射极击穿(最大值): 10V

频率 - 跃迁: 7GHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 1dB 1GHz

增益: 12dB

功率 - 最大值: 100mW

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 90 20mA,5V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 70mA

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-623F

供应商器件封装: SOT-623/SSFP

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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NSVF5488SKT3G_晶体管射频
授权代理品牌

BIP NPN 70MA 10V FT=7G

晶体管射频

+8000:

¥1.007721

+16000:

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电压 - 集射极击穿(最大值): 10V

频率 - 跃迁: 7GHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 1dB 1GHz

增益: 12dB

功率 - 最大值: 100mW

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 90 20mA,5V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 70mA

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-623F

供应商器件封装: SOT-623/SSFP

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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NSVF5488SKT3G_晶体管射频
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BIP NPN 70MA 10V FT=7G

晶体管射频

+8000:

¥2.465153

+16000:

¥2.380148

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电压 - 集射极击穿(最大值): 10V

频率 - 跃迁: 7GHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 1dB 1GHz

增益: 12dB

功率 - 最大值: 100mW

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 90 20mA,5V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 70mA

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-623F

供应商器件封装: SOT-623/SSFP

温度: -55°C # 150°C(TJ)

NSVF5488SKT3G_晶体管射频
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BIP NPN 70MA 10V FT=7G

晶体管射频

+1:

¥7.508799

+10:

¥6.375395

+25:

¥5.950369

+100:

¥4.760294

+250:

¥4.420274

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-623F

供应商器件封装: SOT-623/SSFP

NSVF5488SKT3G_晶体管射频
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BIP NPN 70MA 10V FT=7G

晶体管射频

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-623F

供应商器件封装: SOT-623/SSFP

NSVF5488SKT3G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN
电压 - 集射极击穿(最大值): 10V
频率 - 跃迁: 7GHz
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 1dB 1GHz
增益: 12dB
功率 - 最大值: 100mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 90 20mA,5V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 70mA
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-623F
供应商器件封装: SOT-623/SSFP
温度: -55°C # 150°C(TJ)