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NSV1C200LT1G_双极性晶体管
NSV1C200LT1G
授权代理品牌

TRANS PNP 100V 2A SOT23-3

双极性晶体管

+1:

¥5.274874

+10:

¥3.516623

+30:

¥2.930499

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 500mA,2V

功率 - 最大值: 490 mW

频率 - 跃迁: 120MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 现货库存
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NSV1C200LT1G_双极性晶体管
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TRANS PNP 100V 2A SOT23-3

双极性晶体管

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¥6.982526

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¥5.813308

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¥5.223235

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 500mA,2V

功率 - 最大值: 490 mW

频率 - 跃迁: 120MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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NSV1C200LT1G_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS PNP 100V 2A SOT23-3

双极性晶体管

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¥4.239235

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¥4.001833

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 500mA,2V

功率 - 最大值: 490 mW

频率 - 跃迁: 120MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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NSV1C200LT1G_未分类
NSV1C200LT1G
授权代理品牌

TRANS PNP 100V 2A SOT23-3

未分类

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¥1.922478

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 500mA,2V

功率 - 最大值: 490 mW

频率 - 跃迁: 120MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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NSV1C200LT1G_双极性晶体管
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TRANS PNP 100V 2A SOT23-3

双极性晶体管

+3000:

¥1.073732

+6000:

¥1.019122

+9000:

¥0.94629

+30000:

¥0.924504

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 500mA,2V

功率 - 最大值: 490 mW

频率 - 跃迁: 120MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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NSV1C200LT1G_双极性晶体管
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TRANS PNP 100V 2A SOT23-3

双极性晶体管

+3000:

¥2.626631

+6000:

¥2.493041

+9000:

¥2.314876

+30000:

¥2.261582

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 500mA,2V

功率 - 最大值: 490 mW

频率 - 跃迁: 120MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

NSV1C200LT1G_双极性晶体管
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TRANS PNP 100V 2A SOT23-3

双极性晶体管

+1:

¥7.858173

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¥6.658017

+100:

¥4.629179

+500:

¥3.614762

+1000:

¥2.938242

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3

NSV1C200LT1G_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS PNP 100V 2A SOT23-3

双极性晶体管

+1:

¥7.858173

+10:

¥6.658017

+100:

¥4.629179

+500:

¥3.614762

+1000:

¥2.938242

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSV1C200LT1G_未分类
NSV1C200LT1G
授权代理品牌

TRANS PNP 100V 2A SOT23-3

未分类

+1:

¥8.166429

+10:

¥6.827136

+100:

¥4.932525

+500:

¥3.936219

+1000:

¥3.233908

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 3000

艾睿
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NSV1C200LT1G_未分类
NSV1C200LT1G
授权代理品牌

Trans GP BJT PNP 100V 2A 710mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

未分类

+3000:

¥2.310197

库存: 0

货期:7~10 天

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NSV1C200LT1G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A
电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 500mA,2V
功率 - 最大值: 490 mW
频率 - 跃迁: 120MHz
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)
温度: -55°C # 150°C(TJ)