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NSV1C201LT1G_双极性晶体管
NSV1C201LT1G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS NPN 100V 2A SOT23-3

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双极性晶体管
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￥4.000986

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￥3.400826

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￥2.300573

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 150mV 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 120 500mA，2V

功率 - 最大值： 490 mW

频率 - 跃迁： 110MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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NSV1C201LT1G_双极性晶体管
NSV1C201LT1G
ON(安森美)
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TRANS NPN 100V 2A SOT23-3

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双极性晶体管
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￥1.486109

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￥1.376836

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 150mV 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 120 500mA，2V

功率 - 最大值： 490 mW

频率 - 跃迁： 110MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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NSV1C201LT1G_未分类
NSV1C201LT1G
ON(安森美)
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TRANS NPN 100V 2A SOT23-3

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￥1.080867

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￥1.054096

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￥1.036178

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￥1.018366

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 150mV 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 120 500mA，2V

功率 - 最大值： 490 mW

频率 - 跃迁： 110MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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NSV1C201LT1G
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品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

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系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 150mV 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 120 500mA，2V

功率 - 最大值： 490 mW

频率 - 跃迁： 110MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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NSV1C201LT1G_双极性晶体管
NSV1C201LT1G
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双极性晶体管
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￥1.386251

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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

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系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 150mV 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 120 500mA，2V

功率 - 最大值： 490 mW

频率 - 跃迁： 110MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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双极性晶体管
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￥3.391138

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￥2.953537

+30000：

￥2.800375

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货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 150mV 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 120 500mA，2V

功率 - 最大值： 490 mW

频率 - 跃迁： 110MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

NSV1C201LT1G_双极性晶体管
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双极性晶体管
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￥9.616096

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￥8.208523

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￥6.126429

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￥4.813066

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￥3.71934

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3 (TO-236)

NSV1C201LT1G_双极性晶体管
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双极性晶体管
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￥9.616096

+10：

￥8.208523

+100：

￥6.126429

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￥4.813066

+1000：

￥3.71934

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3 (TO-236)

Mouser
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NSV1C201LT1G
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+1：

￥9.798357

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￥8.378305

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￥6.248228

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￥4.913379

+1000：

￥3.791538

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品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOT-23-3

系列： NSS1C201L

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： NPN

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 100 V

集电极—基极电压 VCBO： 140 V

发射极 - 基极电压 VEBO： 7 V

集电极—射极饱和电压： 30 mV

最大直流电集电极电流： 2 A

Pd-功率耗散： 490 mW

增益带宽产品fT： 110 MHz

资格： AEC-Q101

商标： onsemi

集电极连续电流： 2 A

直流集电极/Base Gain hfe Min： 120

直流电流增益 hFE 最大值： 360 at 500 mA, 2 V

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

单位重量： 8 mg

温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿
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NSV1C201LT1G
授权代理品牌

Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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￥2.01189

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NSV1C201LT1G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 2 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 100 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 150mV 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 120 500mA，2V
功率 - 最大值: 490 mW
频率 - 跃迁: 110MHz
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236）
温度: -55°C # 150°C（TJ）