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搜索 NSS60101DMTTBG7 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSS60101DMTTBG_null
NSS60101DMTTBG
授权代理品牌

TRANS NPN DUAL 60V 1A 6WDFN

+1:

¥1.826127

+200:

¥0.706772

+500:

¥0.681947

+1000:

¥0.66964

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: 2 NPN (Dual)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1A

电压 - 集射极击穿(最大值): 60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 180mV 100mA, 1A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 500mA, 2V

功率 - 最大值: 2.27W

频率 - 跃迁: 180MHz

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad

供应商器件封装: 6-WDFN (2x2)

温度: -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSS60101DMTTBG_双极晶体管预偏置
授权代理品牌
+3000:

¥2.885372

+6000:

¥2.686338

+15000:

¥2.586947

+30000:

¥2.487428

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: 2 NPN (Dual)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1A

电压 - 集射极击穿(最大值): 60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 180mV 100mA, 1A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 500mA, 2V

功率 - 最大值: 2.27W

频率 - 跃迁: 180MHz

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad

供应商器件封装: 6-WDFN (2x2)

温度: -55°C # 150°C (TJ)

NSS60101DMTTBG_双极晶体管预偏置
授权代理品牌
+1:

¥7.422907

+10:

¥6.567385

+100:

¥5.034996

+500:

¥3.979937

+1000:

¥3.183924

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad

供应商器件封装: 6-WDFN (2x2)

NSS60101DMTTBG_双极晶体管预偏置
授权代理品牌
+1:

¥7.422907

+10:

¥6.567385

+100:

¥5.034996

+500:

¥3.979937

+1000:

¥3.183924

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad

供应商器件封装: 6-WDFN (2x2)

NSS60101DMTTBG_未分类
NSS60101DMTTBG
授权代理品牌

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad

Mounting Type: Surface Mount

Transistor Type: 2 NPN (Dual)

Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)

Power - Max: 2.27W

Current - Collector (Ic) (Max): 1A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A

Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V

Frequency - Transition: 180MHz

Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSS60101DMTTBG_晶体管
NSS60101DMTTBG
授权代理品牌

TRANS NPN DUAL 60V 1A 6WDFN

晶体管

+1:

¥9.962984

+10:

¥8.666215

+100:

¥6.468032

+500:

¥5.092192

+1000:

¥3.921938

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Cut Tape,Reel

封装/外壳: *

系列: NSS60101DMT

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: NPN

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 60 V

集电极—基极电压 VCBO: 60 V

发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V

集电极—射极饱和电压: 130 mV

最大直流电集电极电流: 1 A

Pd-功率耗散: 2.27 W

增益带宽产品fT: 180 MHz

商标: onsemi

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors

技术: Si

单位重量: 8.690 mg

温度: - 55 C~+ 150 C

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSS60101DMTTBG_未分类
NSS60101DMTTBG
授权代理品牌

Trans GP BJT NPN 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R

未分类

+3000:

¥3.114046

+6000:

¥2.963437

+9000:

¥2.845314

+24000:

¥2.775916

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

NSS60101DMTTBG参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
晶体管类型: 2 NPN (Dual)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1A
电压 - 集射极击穿(最大值): 60V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 180mV 100mA, 1A
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA (ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 500mA, 2V
功率 - 最大值: 2.27W
频率 - 跃迁: 180MHz
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad
供应商器件封装: 6-WDFN (2x2)
温度: -55°C # 150°C (TJ)