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搜索 NSVMUN5132T1G 共 7 条相关记录
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NSVMUN5132T1G_双极晶体管
NSVMUN5132T1G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

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双极晶体管
+5：

￥0.739431

+50：

￥0.616253

+150：

￥0.492954

+500：

￥0.410795

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 15 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 1mA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 202 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-70，SOT-323

供应商器件封装： SC-70-3（SOT323）

温度：

自营 现货库存
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NSVMUN5132T1G_null
NSVMUN5132T1G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
+5：

￥0.493194

+50：

￥0.395046

+150：

￥0.345972

+500：

￥0.309167

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 15 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 1mA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 202 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-70，SOT-323

供应商器件封装： SC-70-3（SOT323）

温度：

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NSVMUN5132T1G_双极晶体管
NSVMUN5132T1G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

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双极晶体管
+3000：

￥0.205655

+6000：

￥0.190728

+9000：

￥0.158192

+30000：

￥0.155393

+75000：

￥0.139592

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 15 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 1mA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 202 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-70，SOT-323

供应商器件封装： SC-70-3（SOT323）

温度：

Digi-Key
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NSVMUN5132T1G_双极晶体管
NSVMUN5132T1G
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授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

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双极晶体管
+3000：

￥0.503086

+6000：

￥0.466571

+9000：

￥0.386979

+30000：

￥0.380133

+75000：

￥0.341477

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 15 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 1mA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 202 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-70，SOT-323

供应商器件封装： SC-70-3（SOT323）

温度：

NSVMUN5132T1G_双极晶体管
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ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

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双极晶体管
+1：

￥2.995408

+10：

￥2.053995

+100：

￥1.001323

+500：

￥0.835292

+1000：

￥0.580397

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

晶体管类型： Out of Bounds

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： SC-70, SOT-323

供应商器件封装： SC-70-3

NSVMUN5132T1G_双极晶体管
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ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

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双极晶体管
+1：

￥2.995408

+10：

￥2.053995

+100：

￥1.001323

+500：

￥0.835292

+1000：

￥0.580397

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

晶体管类型： Out of Bounds

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： SC-70, SOT-323

供应商器件封装： SC-70-3

Mouser
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NSVMUN5132T1G_晶体管
NSVMUN5132T1G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

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晶体管
+1：

￥3.261129

+10：

￥2.331707

+100：

￥1.467509

+1000：

￥0.652227

+3000：

￥0.570699

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： *

系列： MUN5132

产品种类： 双极晶体管 - 预偏置

商标： onsemi

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

资格： AEC-Q101

单位重量： 6 mg

温度： ~

NSVMUN5132T1G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 50 V
电阻器 - 基极 (R1): 4.7 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 4.7 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 15 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 250mV 1mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 500nA
频率 - 跃迁: -
功率 - 最大值: 202 mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-70，SOT-323
供应商器件封装: SC-70-3（SOT323）
温度: