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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NCV1413BDR2G_双极晶体管预偏置
NCV1413BDR2G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO

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双极晶体管预偏置
+1：

￥6.439663

+10：

￥5.527289

+30：

￥5.018057

+100：

￥4.551261

+500：

￥4.254209

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 7 NPN 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 500µA，350mA

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 350mA，2V

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装： 16-SOIC

温度： 150°C（TJ）

图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NCV1413BDR2G_双极晶体管预偏置
NCV1413BDR2G
ON(安森美)
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TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO

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双极晶体管预偏置
+1：

￥2.028928

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 7 NPN 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 500µA，350mA

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 350mA，2V

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装： 16-SOIC

温度： 150°C（TJ）

图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NCV1413BDR2G_双极晶体管预偏置
NCV1413BDR2G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO

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双极晶体管预偏置
+2281：

￥2.974286

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 7 NPN 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 500µA，350mA

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 350mA，2V

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装： 16-SOIC

温度： 150°C（TJ）

NCV1413BDR2G_双极晶体管预偏置
NCV1413BDR2G
ON(安森美)
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TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO

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双极晶体管预偏置
+2500：

￥3.583196

+7500：

￥3.524043

+25000：

￥3.494291

+75000：

￥3.375867

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 7 NPN 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 500µA，350mA

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 350mA，2V

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装： 16-SOIC

温度： 150°C（TJ）

自营 国内现货
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NCV1413BDR2G_双极晶体管预偏置
NCV1413BDR2G
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TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO

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双极晶体管预偏置
+2500：

￥1.61819

+5000：

￥1.558265

+12500：

￥1.498341

+25000：

￥1.483505

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 7 NPN 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 500µA，350mA

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 350mA，2V

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装： 16-SOIC

温度： 150°C（TJ）

Digi-Key
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NCV1413BDR2G_双极晶体管预偏置
NCV1413BDR2G
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双极晶体管预偏置
+2500：

￥3.958521

+5000：

￥3.811929

+12500：

￥3.665338

+25000：

￥3.629048

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 7 NPN 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 500µA，350mA

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 350mA，2V

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装： 16-SOIC

温度： 150°C（TJ）

NCV1413BDR2G_双极晶体管预偏置
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双极晶体管预偏置
+1：

￥11.001443

+10：

￥9.672697

+25：

￥9.092623

+100：

￥6.890905

+250：

￥5.864771

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

安装类型： Surface Mount

工作温度： 150°C (TJ)

封装/外壳： 16-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装： 16-SOIC

NCV1413BDR2G_双极晶体管预偏置
NCV1413BDR2G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO

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双极晶体管预偏置
+1：

￥11.001443

+10：

￥9.672697

+25：

￥9.092623

+100：

￥6.890905

+250：

￥5.864771

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

安装类型： Surface Mount

工作温度： 150°C (TJ)

封装/外壳： 16-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装： 16-SOIC

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NCV1413BDR2G_未分类
NCV1413BDR2G
ON(安森美)
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TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO

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未分类
+1：

￥12.412974

+10：

￥10.404033

+100：

￥6.712806

+500：

￥6.288151

+1000：

￥4.867194

库存： 0

货期：7~10 天

封裝： Reel

封裝： Cut Tape

封裝： MouseReel

標準包裝數量： 2500

艾睿
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NCV1413BDR2G_未分类
NCV1413BDR2G
ON Semiconductor
授权代理品牌

Trans Darlington NPN 50V 0.5A Automotive 16-Pin SOIC T/R

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未分类
+5000：

￥3.80301

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数

NCV1413BDR2G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 7 NPN 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 1.6V 500µA，350mA
电流 - 集电极截止（最大值）: -
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 1000 350mA，2V
功率 - 最大值: -
频率 - 跃迁: -
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装: 16-SOIC
温度: 150°C（TJ）