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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSS60600MZ4T3G_未分类
NSS60600MZ4T3G
授权代理品牌

TRANS PNP 60V 6A SOT223

未分类

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¥1.931275

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¥0.72113

+1000:

¥0.708212

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 6 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 600mA,6A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1A,2V

功率 - 最大值: 800 mW

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223(TO-261)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSS60600MZ4T3G_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS PNP 60V 6A SOT-223

双极性晶体管

+4000:

¥1.257457

+8000:

¥1.170712

+12000:

¥1.127366

+28000:

¥1.088105

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 6 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 600mA,6A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1A,2V

功率 - 最大值: 800 mW

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223(TO-261)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSS60600MZ4T3G_双极性晶体管
授权代理品牌
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¥3.076073

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¥2.863872

+12000:

¥2.757836

+28000:

¥2.661794

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 6 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 600mA,6A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1A,2V

功率 - 最大值: 800 mW

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223(TO-261)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

NSS60600MZ4T3G_双极性晶体管
授权代理品牌
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¥7.916981

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¥6.995498

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¥5.366675

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¥4.242723

+1000:

¥3.39418

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223

NSS60600MZ4T3G_双极性晶体管
授权代理品牌
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¥7.916981

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¥6.995498

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¥5.366675

+500:

¥4.242723

+1000:

¥3.39418

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223

Mouser
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NSS60600MZ4T3G_未分类
NSS60600MZ4T3G
授权代理品牌

TRANS PNP 60V 6A SOT223

未分类

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¥8.343457

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¥7.386011

+100:

¥5.662609

+500:

¥4.47264

+1000:

¥3.583584

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: SOT-223-4

系列: NSS60600

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: PNP

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: - 60 V

集电极—基极电压 VCBO: - 100 V

发射极 - 基极电压 VEBO: - 6 V

集电极—射极饱和电压: - 350 mV

最大直流电集电极电流: - 6 A

Pd-功率耗散: 2 W

增益带宽产品fT: 100 MHz

商标: onsemi

直流集电极/Base Gain hfe Min: 150

高度: 1.57 mm

长度: 6.5 mm

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors

技术: Si

宽度: 3.5 mm

单位重量: 112 mg

温度: - 55 C~+ 150 C

NSS60600MZ4T3G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 6 A
电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 600mA,6A
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1A,2V
功率 - 最大值: 800 mW
频率 - 跃迁: 100MHz
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装: SOT-223(TO-261)
温度: -55°C # 150°C(TJ)