品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 10 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 400mA，8A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 4A，1V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： 40MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

供应商器件封装： D²PAK

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 10 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 400mA，8A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 4A，1V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： 40MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

供应商器件封装： D²PAK

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 10 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 400mA，8A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 4A，1V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： 40MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

供应商器件封装： D²PAK

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 10 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 400mA，8A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 4A，1V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： 40MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

供应商器件封装： D²PAK

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： PNP

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 1V @ 400mA, 8A

Current - Collector Cutoff (Max)： 10µA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 40 @ 4A, 1V

Frequency - Transition： 40MHz

Supplier Device Package： D2PAK

Current - Collector (Ic) (Max)： 10 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 80 V

Power - Max： 2 W