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NDS332P_晶体管-FET，MOSFET-单个
NDS332P
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥3.420186

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￥2.907146

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￥2.394106

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￥2.137586

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￥1.966613

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 1.1A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 195 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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NDS332P_晶体管-FET，MOSFET-单个
NDS332P
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥1.387386

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 1.1A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 195 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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NDS332P_未分类
NDS332P
UDU SEMICONDUTOR
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NDS332P UDU SEMICONDUTOR

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￥1.256357

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￥0.281205

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库存： 1000 +

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NDS332P_未分类
NDS332P
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3

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￥1.165382

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￥1.154768

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￥1.144043

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￥1.133319

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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 1.1A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 195 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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NDS332P
VBsemi(台湾微碧)
授权代理品牌

NDS332P VBSEMI/台湾微碧半导体

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￥0.278148

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￥0.267503

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￥0.235356

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国内：1~2 天

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NDS332P
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3

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￥2.128658

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￥1.602219

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NDS332P
VBsemi(台湾微碧)
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NDS332P VBSEMI/台湾微碧半导体

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￥0.273826

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￥0.263183

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￥0.258861

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￥0.254645

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￥0.243894

库存： 1000 +

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NDS332P
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3

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￥1.459661

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￥1.433853

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￥1.382124

+30000：

￥1.369278

库存： 1000 +

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品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 1.1A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 195 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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NDS332P
JSMSEMI(杰盛微)
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NDS332P JSMICRO/深圳杰盛微

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￥0.236094

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￥0.221338

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NDS332P_晶体管-FET，MOSFET-单个
NDS332P
ON(安森美)
授权代理品牌
+3000：

￥0.909261

+6000：

￥0.863003

+9000：

￥0.801385

+30000：

￥0.78287

+75000：

￥0.762955

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 1.1A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 195 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

NDS332P参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.7V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 300 毫欧 1.1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 5 nC 4.5 V
Vgs（最大值）: ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 195 pF 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 500mW（Ta）
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度: -55°C # 150°C（TJ）