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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NSVMMUN2112LT1G_未分类
NSVMMUN2112LT1G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23

未分类
+1：

￥0.815728

+200：

￥0.315676

+500：

￥0.304583

+1000：

￥0.299102

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 22 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 22 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 60 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 300µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 246 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

温度：

自营 国内现货
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NSVMMUN2112LT1G_双极晶体管
NSVMMUN2112LT1G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23

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双极晶体管
+3000：

￥0.368456

+6000：

￥0.320408

+15000：

￥0.27236

+30000：

￥0.256327

+75000：

￥0.240293

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 22 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 22 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 60 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 300µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 246 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

温度：

Digi-Key
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NSVMMUN2112LT1G_双极晶体管
NSVMMUN2112LT1G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23

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双极晶体管
+3000：

￥0.506081

+6000：

￥0.450545

+9000：

￥0.42209

+15000：

￥0.39027

+21000：

￥0.371298

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 22 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 22 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 60 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 300µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 246 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

温度：

NSVMMUN2112LT1G_双极晶体管
NSVMMUN2112LT1G
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授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23

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双极晶体管
+1：

￥2.600768

+10：

￥1.56046

+100：

￥0.966874

+500：

￥0.701903

+1000：

￥0.615771

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

晶体管类型： Out of Bounds

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3 (TO-236)

NSVMMUN2112LT1G_双极晶体管
NSVMMUN2112LT1G
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TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23

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双极晶体管
+1：

￥2.600768

+10：

￥1.56046

+100：

￥0.966874

+500：

￥0.701903

+1000：

￥0.615771

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

晶体管类型： Out of Bounds

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3 (TO-236)

Mouser
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NSVMMUN2112LT1G_未分类
NSVMMUN2112LT1G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23

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未分类
+1：

￥1.824119

+10：

￥1.2603

+100：

￥0.646734

+1000：

￥0.56382

+3000：

￥0.431156

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOT-23-3

系列： MMUN2112L

产品种类： 双极晶体管 - 预偏置

商标： onsemi

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

资格： AEC-Q101

单位重量： 8.020 mg

温度： ~

艾睿
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NSVMMUN2112LT1G_未分类
NSVMMUN2112LT1G
授权代理品牌

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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未分类
+3000：

￥0.482455

+9000：

￥0.434712

+24000：

￥0.418378

+45000：

￥0.384456

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数

NSVMMUN2112LT1G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 50 V
电阻器 - 基极 (R1): 22 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 22 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 60 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 250mV 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 500nA
频率 - 跃迁: -
功率 - 最大值: 246 mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236）
温度: