品牌： onsemi

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 2 PNP（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 170mV 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 180 1A，2V

功率 - 最大值： 653mW

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装： 8-SOIC

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 2 PNP（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 170mV 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 180 1A，2V

功率 - 最大值： 653mW

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装： 8-SOIC

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 2 PNP（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 170mV 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 180 1A，2V

功率 - 最大值： 653mW

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装： 8-SOIC

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOIC-8

系列： NSS40300MD

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

晶体管极性： PNP

资格： AEC-Q101

商标： onsemi

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

温度： ~