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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NST3904DP6T5G_双极晶体管预偏置
NST3904DP6T5G
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国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 NPN(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 200mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 10mA,1V

功率 - 最大值: 350mW

频率 - 跃迁: 200MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-963

供应商器件封装: SOT-963

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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NST3904DP6T5G_未分类
NST3904DP6T5G
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TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT963

未分类

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品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 NPN(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 200mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 10mA,1V

功率 - 最大值: 350mW

频率 - 跃迁: 200MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-963

供应商器件封装: SOT-963

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TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT963

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品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

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零件状态: 在售

晶体管类型: 2 NPN(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 200mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 10mA,1V

功率 - 最大值: 350mW

频率 - 跃迁: 200MHz

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安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-963

供应商器件封装: SOT-963

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NST3904DP6T5G_双极晶体管预偏置
NST3904DP6T5G
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晶体管类型: 2 NPN(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 200mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 10mA,1V

功率 - 最大值: 350mW

频率 - 跃迁: 200MHz

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安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-963

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温度: -55°C # 150°C(TJ)

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品牌: onsemi

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晶体管类型: 2 NPN(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 200mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 5mA,50mA

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不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 10mA,1V

功率 - 最大值: 350mW

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工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

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封装/外壳: SOT-963

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品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

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零件状态: 在售

晶体管类型: 2 NPN(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 200mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 10mA,1V

功率 - 最大值: 350mW

频率 - 跃迁: 200MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-963

供应商器件封装: SOT-963

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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NST3904DP6T5G
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晶体管类型: 2 NPN(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 200mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 10mA,1V

功率 - 最大值: 350mW

频率 - 跃迁: 200MHz

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安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-963

供应商器件封装: SOT-963

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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晶体管类型: 2 NPN(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 200mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 10mA,1V

功率 - 最大值: 350mW

频率 - 跃迁: 200MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

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封装/外壳: SOT-963

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品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

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零件状态: 在售

晶体管类型: 2 NPN(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 200mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 10mA,1V

功率 - 最大值: 350mW

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封装/外壳: SOT-963

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NST3904DP6T5G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 2 NPN(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 200mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 40V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值): -
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 10mA,1V
功率 - 最大值: 350mW
频率 - 跃迁: 200MHz
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-963
供应商器件封装: SOT-963
温度: -55°C # 150°C(TJ)