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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTR4170NT1G VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=6A 下载数据手册未分类	+1：￥0.354113	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	类型： N沟道漏源电压(Vdss)： 30V 连续漏极电流(Id)： 6.5A 功率(Pd)： 1.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 30mΩ@10V,3.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1.1V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)： 2.1nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)： 335pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)： 170pF@15V 工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)

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	NTR4170NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥2.613358 +100：￥1.767326 +800：￥1.297241 +3000：￥0.940049 +6000：￥0.893101	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 3.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.76 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 432 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 480mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTR4170NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.165208 +10：￥5.261958 +30：￥4.79983 +100：￥4.304722 +500：￥4.044776	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 3.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.76 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 432 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 480mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTR4170NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.814451	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 3.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.76 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 432 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 480mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTR4170NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥1.072539 +50：￥0.938487 +150：￥0.849118 +500：￥0.774567 +3000：￥0.722474	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 3.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.76 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 432 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 480mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTR4170NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.264547 +10：￥2.026076 +30：￥1.608983 +100：￥1.406167 +300：￥1.287279	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 3.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.76 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 432 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 480mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTR4170NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.013616 +6000：￥0.996368 +12000：￥0.979235 +24000：￥0.961987	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 3.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.76 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 432 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 480mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTR4170NT1G 授权代理品牌	NTR4170NT1G VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥0.748404 +50：￥0.654868 +150：￥0.537949 +500：￥0.500442 +3000：￥0.481688	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NTR4170NT1G JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	NTR4170NT1G JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥0.34312 +150：￥0.337448 +250：￥0.328881	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTR4170NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.659415 +6000：￥0.632039 +9000：￥0.568835 +30000：￥0.560443 +75000：￥0.526699	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 3.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.76 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 432 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 480mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

NTR4170NT1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	55 毫欧 3.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	4.76 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	432 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	480mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTR4170NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥1.072539 +50：￥0.938487 +150：￥0.849118 +500：￥0.774567 +3000：￥0.722474	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 3.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.76 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 432 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 480mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTR4170NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.264547 +10：￥2.026076 +30：￥1.608983 +100：￥1.406167 +300：￥1.287279	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 3.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.76 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 432 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 480mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTR4170NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.013616 +6000：￥0.996368 +12000：￥0.979235 +24000：￥0.961987	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 3.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.76 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 432 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 480mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTR4170NT1G 授权代理品牌	NTR4170NT1G VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥0.748404 +50：￥0.654868 +150：￥0.537949 +500：￥0.500442 +3000：￥0.481688	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NTR4170NT1G JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	NTR4170NT1G JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥0.34312 +150：￥0.337448 +250：￥0.328881	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数