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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSVBC858CLT1G_未分类
NSVBC858CLT1G
授权代理品牌

TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3

未分类

+5:

¥0.451137

+50:

¥0.362243

+150:

¥0.317796

+500:

¥0.284461

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 650mV 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 15nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 420 2mA,5V

功率 - 最大值: 300 mW

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSVBC858CLT1G_未分类
NSVBC858CLT1G
授权代理品牌

TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3

未分类

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 650mV 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 15nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 420 2mA,5V

功率 - 最大值: 300 mW

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

NSVBC858CLT1G_未分类
NSVBC858CLT1G
授权代理品牌

TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3

未分类

+1000:

¥0.813311

+3000:

¥0.623113

+9000:

¥0.559796

+24000:

¥0.517584

+45000:

¥0.448868

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
自营 国内现货
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NSVBC858CLT1G_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3

双极性晶体管

+3000:

¥0.241852

+6000:

¥0.228717

+9000:

¥0.194667

+30000:

¥0.180033

+75000:

¥0.155762

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 650mV 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 15nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 420 2mA,5V

功率 - 最大值: 300 mW

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSVBC858CLT1G_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3

双极性晶体管

+3000:

¥0.41792

+6000:

¥0.395222

+9000:

¥0.336383

+30000:

¥0.311096

+75000:

¥0.269156

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 650mV 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 15nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 420 2mA,5V

功率 - 最大值: 300 mW

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

NSVBC858CLT1G_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3

双极性晶体管

+1:

¥2.467057

+10:

¥1.714606

+100:

¥0.925146

+500:

¥0.726548

+1000:

¥0.504515

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23

NSVBC858CLT1G_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3

双极性晶体管

+1:

¥2.467057

+10:

¥1.714606

+100:

¥0.925146

+500:

¥0.726548

+1000:

¥0.504515

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSVBC858CLT1G_未分类
NSVBC858CLT1G
授权代理品牌

TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3

未分类

+1:

¥3.293494

+10:

¥2.22703

+100:

¥1.2233

+1000:

¥0.627332

+3000:

¥0.533233

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: SOT-23-3

系列: BC858CL

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: PNP

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: - 30 V

集电极—基极电压 VCBO: - 30 V

发射极 - 基极电压 VEBO: - 5 V

集电极—射极饱和电压: - 650 mV

最大直流电集电极电流: - 100 mA

Pd-功率耗散: 225 mW

增益带宽产品fT: 100 MHz

资格: AEC-Q101

商标: onsemi

直流集电极/Base Gain hfe Min: 420 at - 2 mA, - 5 V

直流电流增益 hFE 最大值: 800 at -2 mA, - 5 V

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors

技术: Si

单位重量: 8 mg

温度: - 55 C~+ 150 C

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSVBC858CLT1G_未分类
NSVBC858CLT1G
授权代理品牌
+3000:

¥0.190392

+12000:

¥0.182347

+45000:

¥0.174302

+75000:

¥0.171621

+150000:

¥0.163576

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

NSVBC858CLT1G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 650mV 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值): 15nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 420 2mA,5V
功率 - 最大值: 300 mW
频率 - 跃迁: 100MHz
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)
温度: -55°C # 150°C(TJ)