品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 200 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 400mV 5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 10mA，1V

功率 - 最大值： 290 mW

频率 - 跃迁： 250MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-1123

供应商器件封装： SOT-1123

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 200 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 400mV 5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 10mA，1V

功率 - 最大值： 290 mW

频率 - 跃迁： 250MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-1123

供应商器件封装： SOT-1123

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 200 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 400mV 5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 10mA，1V

功率 - 最大值： 290 mW

频率 - 跃迁： 250MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-1123

供应商器件封装： SOT-1123

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 200 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 400mV 5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 10mA，1V

功率 - 最大值： 290 mW

频率 - 跃迁： 250MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-1123

供应商器件封装： SOT-1123

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOT-1123-3

系列： NST3906F3T5G

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： PNP

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： - 40 V

集电极—基极电压 VCBO： - 40 V

发射极 - 基极电压 VEBO： - 5 V

集电极—射极饱和电压： - 400 mV

最大直流电集电极电流： - 200 mA

Pd-功率耗散： 347 mW

增益带宽产品fT： 250 MHz

商标： onsemi

高度： 0.37 mm

长度： 0.6 mm

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

宽度： 0.8 mm

单位重量： 0.450 mg

温度： - 55 C~+ 150 C