锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 NSVEMT1DXV6T5G4 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSVEMT1DXV6T5G_未分类
NSVEMT1DXV6T5G
授权代理品牌

TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563

未分类

+1:

¥0.395319

+200:

¥0.152984

+500:

¥0.147607

+1000:

¥0.144951

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 PNP(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500pA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V

功率 - 最大值: 500mW

频率 - 跃迁: 140MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSVEMT1DXV6T5G_双极晶体管预偏置
授权代理品牌
+8000:

¥1.062295

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 PNP(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500pA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V

功率 - 最大值: 500mW

频率 - 跃迁: 140MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

温度: -55°C # 150°C(TJ)

NSVEMT1DXV6T5G_未分类
NSVEMT1DXV6T5G
授权代理品牌

TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563

未分类

+4418:

¥0.850808

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: SOT-563, SOT-666

Mounting Type: Surface Mount

Transistor Type: 2 PNP (Dual)

Operating Temperature: -55°C # 150°C (TJ)

Power - Max: 500mW

Current - Collector (Ic) (Max): 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA

Current - Collector Cutoff (Max): 500pA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V

Frequency - Transition: 140MHz

Supplier Device Package: SOT-563

Part Status: Last Time Buy

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSVEMT1DXV6T5G_未分类
NSVEMT1DXV6T5G
授权代理品牌

TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563

未分类

+1:

¥5.785283

+10:

¥4.325188

+100:

¥2.6998

+500:

¥1.845782

+1000:

¥1.418772

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

標準包裝數量: 8000

NSVEMT1DXV6T5G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 2 PNP(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 60V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500pA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V
功率 - 最大值: 500mW
频率 - 跃迁: 140MHz
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商器件封装: SOT-563
温度: -55°C # 150°C(TJ)