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NTR0202PLT1G_晶体管-FET,MOSFET-单个
NTR0202PLT1G
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 400mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 800 毫欧 200mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.18 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 70 pF 5 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 225mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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NTR0202PLT1G_晶体管-FET,MOSFET-单个
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 400mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 800 毫欧 200mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.18 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 70 pF 5 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 225mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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NTR0202PLT1G
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

类型: P沟道

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 5A

功率(Pd): 2.5W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 35mΩ@10V,5.1A

阈值电压(Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA

栅极电荷(Qg@Vgs): 6.4nC@2.5V

输入电容(Ciss@Vds): 835pF@10V

反向传输电容(Crss@Vds): 155pF@10V

工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)

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NTR0202PLT1G
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库存: 1000 +

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 400mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 800 毫欧 200mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.18 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 70 pF 5 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 225mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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国内:1~2 天

封装/外壳: SOT23-3

FET类型: P-Channel

栅极电压Vgs: ±12V

漏源极电压Vds: -20V

连续漏极电流Id: -5A

Rds OnMax@Id,Vgs: 43mΩ@-4.5V

Pd-功率耗散Max: 2.5W

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 400mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 800 毫欧 200mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.18 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 70 pF 5 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 225mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 400mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 800 毫欧 200mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.18 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 70 pF 5 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 225mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3 (TO-236)

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系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3 (TO-236)

NTR0202PLT1G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 400mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 800 毫欧 200mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.18 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 70 pF 5 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 225mW(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
温度: -55°C # 150°C(TJ)