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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NDS351AN ON(安森美) 授权代理品牌	MOS场效应管 NDS351AN 351A SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥2.289804 +200：￥1.548558 +800：￥1.137521 +3000：￥0.824373 +6000：￥0.782991	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 145 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	NDS351AN ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3 下载数据手册未分类	+5：￥1.904533 +50：￥1.766174 +150：￥1.696993 +500：￥1.583017 +3000：￥1.54151	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 145 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NDS351AN ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3 下载数据手册未分类	+3000：￥11.590138	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 145 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NDS351AN ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.724322 +50：￥2.094299 +1500：￥1.90705 +3000：￥1.73678	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 145 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NDS351AN ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥5.714963 +100：￥5.618913 +500：￥5.570888 +1000：￥5.474839	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 145 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NDS351AN ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥2.468553 +500：￥2.405853 +1000：￥2.343033	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 145 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NDS351AN ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 145 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NDS351AN ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 145 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NDS351AN ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SuperSOT-3
NDS351AN ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SuperSOT-3

NDS351AN参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	160 毫欧 1.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	1.8 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	145 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	500mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NDS351AN ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3 下载数据手册未分类	+3000：￥11.590138	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 145 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NDS351AN ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.724322 +50：￥2.094299 +1500：￥1.90705 +3000：￥1.73678	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 145 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NDS351AN ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥5.714963 +100：￥5.618913 +500：￥5.570888 +1000：￥5.474839	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 145 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NDS351AN ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥2.468553 +500：￥2.405853 +1000：￥2.343033	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 145 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）