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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSVMUN5131T1G_null
NSVMUN5131T1G
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 0.202W SC70

+1:

¥0.372274

+200:

¥0.144066

+500:

¥0.139003

+1000:

¥0.136501

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: Bulk,Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: PNP - Pre-Biased

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 2.2 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 8 5mA, 10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 5mA, 10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: -

功率 - 最大值: 202 mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-70, SOT-323

供应商器件封装: SC-70-3 (SOT323)

温度:

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSVMUN5131T1G_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 0.202W SC70

双极晶体管

+1:

¥0.412091

+200:

¥0.159474

+500:

¥0.15387

+1000:

¥0.151101

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: Bulk,Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: PNP - Pre-Biased

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 2.2 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 8 5mA, 10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 5mA, 10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: -

功率 - 最大值: 202 mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-70, SOT-323

供应商器件封装: SC-70-3 (SOT323)

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSVMUN5131T1G_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 0.202W SC70

双极晶体管

+1:

¥0.712092

+200:

¥0.275572

+500:

¥0.265886

+1000:

¥0.261101

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Bulk,Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: PNP - Pre-Biased

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 2.2 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 8 5mA, 10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 5mA, 10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: -

功率 - 最大值: 202 mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-70, SOT-323

供应商器件封装: SC-70-3 (SOT323)

温度:

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSVMUN5131T1G_晶体管
NSVMUN5131T1G
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 0.202W SC70

晶体管

+:

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: *

系列: MUN5131

产品种类: 双极晶体管 - 预偏置

商标: onsemi

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

资格: AEC-Q101

单位重量: 6 mg

温度: ~

NSVMUN5131T1G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: Bulk,Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
晶体管类型: PNP - Pre-Biased
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
电阻器 - 基极 (R1): 2.2 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 2.2 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 8 5mA, 10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 5mA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: -
功率 - 最大值: 202 mW
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: SC-70, SOT-323
供应商器件封装: SC-70-3 (SOT323)
温度: