品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 8 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 4V 80mA，8A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 4A，4V

功率 - 最大值： 20 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： DPAK

温度： -65°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 8 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 4V 80mA，8A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 4A，4V

功率 - 最大值： 20 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： DPAK

温度： -65°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 8 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 4V 80mA，8A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 4A，4V

功率 - 最大值： 20 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： DPAK

温度： -65°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 8 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 4V 80mA，8A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 4A，4V

功率 - 最大值： 20 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： DPAK

温度： -65°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Cut Tape,Reel

封装/外壳： *

系列： MJD127

产品种类： 达林顿晶体管

配置： Single

晶体管极性： PNP

集电极—发射极最大电压 VCEO： 100 V

发射极 - 基极电压 VEBO： 5 V

集电极—基极电压 VCBO： 100 V

最大直流电集电极电流： 8 A

最大集电极截止电流： 10 uA

资格： AEC-Q101

商标： onsemi

直流电流增益 hFE 最大值： 100

产品类型： Darlington Transistors

单位重量： 351 mg

温度： - 65 C~+ 150 C