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自营 现货库存
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NSVBSS63LT1G_未分类
NSVBSS63LT1G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3

未分类
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￥0.204177

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￥0.079014

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￥0.076239

+1000：

￥0.074866

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 2.5mA，25mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 25mA，1V

功率 - 最大值： 225 mW

频率 - 跃迁： 95MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营 国内现货
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NSVBSS63LT1G_双极性晶体管
NSVBSS63LT1G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS PNP 100V 100MA SOT23-3

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双极性晶体管
+3000：

￥0.480044

+6000：

￥0.43205

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￥0.384003

+30000：

￥0.360006

+75000：

￥0.319217

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 2.5mA，25mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 25mA，1V

功率 - 最大值： 225 mW

频率 - 跃迁： 95MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key
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NSVBSS63LT1G_双极性晶体管
NSVBSS63LT1G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3

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双极性晶体管
+3000：

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+6000：

￥1.133784

+9000：

￥1.072281

+15000：

￥1.003286

+21000：

￥0.962285

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 2.5mA，25mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 25mA，1V

功率 - 最大值： 225 mW

频率 - 跃迁： 95MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

NSVBSS63LT1G_双极性晶体管
NSVBSS63LT1G
ON(安森美)
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TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3

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双极性晶体管
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￥3.595179

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￥2.25961

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+1000：

￥1.492995

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3 (TO-236)

NSVBSS63LT1G_双极性晶体管
NSVBSS63LT1G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3

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双极性晶体管
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￥5.813481

+10：

￥3.595179

+100：

￥2.25961

+500：

￥1.680402

+1000：

￥1.492995

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3 (TO-236)

NSVBSS63LT1G_未分类
NSVBSS63LT1G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3

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未分类
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库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： PNP

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 250mV @ 2.5mA, 25mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 30 @ 25mA, 1V

Frequency - Transition： 95MHz

Supplier Device Package： SOT-23-3 (TO-236)

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 100 mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 100 V

Power - Max： 225 mW

Mouser
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NSVBSS63LT1G_未分类
NSVBSS63LT1G
ON(安森美)
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TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3

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￥7.332443

+10：

￥5.181594

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￥2.101968

+1000：

￥1.596844

+3000：

￥1.238369

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOT-23-3

系列： BSS63L

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： PNP

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： - 100 V

集电极—基极电压 VCBO： - 110 V

发射极 - 基极电压 VEBO： - 6 V

集电极—射极饱和电压： - 250 mV

最大直流电集电极电流： - 100 mA

Pd-功率耗散： 225 mW

增益带宽产品fT： 95 MHz

资格： AEC-Q101

商标： onsemi

直流集电极/Base Gain hfe Min： 30

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

单位重量： 8 mg

温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿
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NSVBSS63LT1G_未分类
NSVBSS63LT1G
授权代理品牌

Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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未分类
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￥0.865371

+9000：

￥0.78928

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￥0.751879

+45000：

￥0.713189

库存： 0

货期：7~10 天

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NSVBSS63LT1G_未分类
NSVBSS63LT1G
onsemi(安森美)
授权代理品牌
+3000：

￥0.648004

+6000：

￥0.631829

+12000：

￥0.615654

+15000：

￥0.6106

+45000：

￥0.580273

库存： 0

货期：7~10 天

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NSVBSS63LT1G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 100 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 250mV 2.5mA，25mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 30 25mA，1V
功率 - 最大值: 225 mW
频率 - 跃迁: 95MHz
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236）
温度: -55°C # 150°C（TJ）