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NSVBC856BM3T5G参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| 晶体管类型: | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 100 mA |
| 电压 - 集射极击穿(最大值): | 65 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): | 650mV 5mA,100mA |
| 电流 - 集电极截止(最大值): | 15nA(ICBO) |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): | 220 2mA,5V |
| 功率 - 最大值: | 265 mW |
| 频率 - 跃迁: | 100MHz |
| 工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | SOT-723 |
| 供应商器件封装: | SOT-723 |
| 温度: | -55°C # 150°C(TJ) |



