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NSVBC856BM3T5G_双极性晶体管
NSVBC856BM3T5G
授权代理品牌

TRANS PNP 65V 0.1A SOT-723

双极性晶体管

+5:

¥1.259126

+50:

¥0.839377

+150:

¥0.699501

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 65 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 650mV 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 15nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 220 2mA,5V

功率 - 最大值: 265 mW

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: SOT-723

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 现货库存
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NSVBC856BM3T5G_未分类
NSVBC856BM3T5G
授权代理品牌

TRANS PNP 65V 0.1A SOT-723

未分类

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¥0.648593

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¥0.532045

+150:

¥0.473772

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 65 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 650mV 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 15nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 220 2mA,5V

功率 - 最大值: 265 mW

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: SOT-723

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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NSVBC856BM3T5G_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS PNP 65V 0.1A SOT-723

双极性晶体管

+8000:

¥0.831063

+16000:

¥0.706475

+24000:

¥0.664851

+56000:

¥0.623369

+200000:

¥0.540263

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 65 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 650mV 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 15nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 220 2mA,5V

功率 - 最大值: 265 mW

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: SOT-723

温度: -55°C # 150°C(TJ)

NSVBC856BM3T5G_双极性晶体管
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TRANS PNP 65V 0.1A SOT-723

双极性晶体管

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¥5.416873

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¥4.461792

+100:

¥2.36917

+500:

¥1.558349

+1000:

¥1.059569

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: SOT-723

NSVBC856BM3T5G_双极性晶体管
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TRANS PNP 65V 0.1A SOT-723

双极性晶体管

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¥5.416873

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¥4.461792

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¥2.36917

+500:

¥1.558349

+1000:

¥1.059569

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: SOT-723

Mouser
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NSVBC856BM3T5G_未分类
NSVBC856BM3T5G
授权代理品牌

TRANS PNP 65V 0.1A SOT-723

未分类

+1:

¥5.879829

+10:

¥4.083215

+100:

¥1.665952

+1000:

¥1.012638

+2500:

¥0.91464

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: SOT-723-3

系列: BC856 SERIES

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: PNP

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: - 65 V

集电极—基极电压 VCBO: - 80 V

发射极 - 基极电压 VEBO: - 5 V

集电极—射极饱和电压: - 300 mV

最大直流电集电极电流: - 100 mA

Pd-功率耗散: 265 mW

增益带宽产品fT: 100 MHz

资格: AEC-Q101

商标: onsemi

直流集电极/Base Gain hfe Min: 220 at - 2 mA, - 5 V

直流电流增益 hFE 最大值: 475 at - 2 mA, - 5 V

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors

技术: Si

单位重量: 1.270 mg

温度: - 55 C~+ 150 C

NSVBC856BM3T5G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 65 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 650mV 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值): 15nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 220 2mA,5V
功率 - 最大值: 265 mW
频率 - 跃迁: 100MHz
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-723
供应商器件封装: SOT-723
温度: -55°C # 150°C(TJ)