品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 300µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 254 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-1123

供应商器件封装： SOT-1123

温度：

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 250mV 300µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： 254 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-1123

供应商器件封装： SOT-1123

温度：

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOT-1123-3

系列： NSBC114YF3

产品种类： 双极晶体管 - 预偏置

配置： Single

晶体管极性： NPN

典型输入电阻器： 10 kOhms

典型电阻器比率： 0.21

安装风格： SMD/SMT

集电极—发射极最大电压 VCEO： 50 V

集电极连续电流： 100 mA

峰值直流集电极电流： 100 mA

商标： onsemi

直流电流增益 hFE 最大值： 80

高度： 0.37 mm

长度： 0.6 mm

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

宽度： 0.8 mm

单位重量： 0.450 mg

温度： - 55 C~+ 150 C