品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 150 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 50nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 60 10mA，5V

功率 - 最大值： 225 mW

频率 - 跃迁： 300MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 150 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 50nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 60 10mA，5V

功率 - 最大值： 225 mW

频率 - 跃迁： 300MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： PNP

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 500mV @ 5mA, 50mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 50nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 60 @ 10mA, 5V

Frequency - Transition： 300MHz

Supplier Device Package： SOT-23-3 (TO-236)

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 500 mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 150 V

Power - Max： 225 mW

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 150 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 50nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 60 10mA，5V

功率 - 最大值： 225 mW

频率 - 跃迁： 300MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 150 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 50nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 60 10mA，5V

功率 - 最大值： 225 mW

频率 - 跃迁： 300MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 150 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 50nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 60 10mA，5V

功率 - 最大值： 225 mW

频率 - 跃迁： 300MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： PNP

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 500mV @ 5mA, 50mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 50nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 60 @ 10mA, 5V

Frequency - Transition： 300MHz

Supplier Device Package： SOT-23-3 (TO-236)

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 500 mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 150 V

Power - Max： 225 mW

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOT-23-3

系列： MMBT5401L

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： PNP

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： - 150 V

集电极—基极电压 VCBO： - 160 V

发射极 - 基极电压 VEBO： - 5 V

集电极—射极饱和电压： - 500 mV

最大直流电集电极电流： - 500 mA

Pd-功率耗散： 225 mW

增益带宽产品fT： 300 MHz

资格： AEC-Q101

商标： onsemi

集电极连续电流： - 500 mA

直流集电极/Base Gain hfe Min： 60

直流电流增益 hFE 最大值： 240

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

单位重量： 8 mg

温度： - 55 C~+ 150 C