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NJVMJD3055T4G_双极性晶体管
NJVMJD3055T4G
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥11.41272

+10：

￥7.60848

+30：

￥6.3404

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 10 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 8V 3.3A，10A

电流 - 集电极截止（最大值）： 50µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 4A，4V

功率 - 最大值： 1.75 W

频率 - 跃迁： 2MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： DPAK

温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营 现货库存
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NJVMJD3055T4G_未分类
NJVMJD3055T4G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS NPN 60V 10A DPAK

未分类
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￥6.217723

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￥5.261958

+30：

￥4.736812

+100：

￥4.138147

+500：

￥3.875574

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 10 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 8V 3.3A，10A

电流 - 集电极截止（最大值）： 50µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 4A，4V

功率 - 最大值： 1.75 W

频率 - 跃迁： 2MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： DPAK

温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营 国内现货
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NJVMJD3055T4G_双极性晶体管
NJVMJD3055T4G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS NPN 60V 10A DPAK-4

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双极性晶体管
+2500：

￥2.479088

+5000：

￥2.355149

+12500：

￥2.266637

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 10 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 8V 3.3A，10A

电流 - 集电极截止（最大值）： 50µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 4A，4V

功率 - 最大值： 1.75 W

频率 - 跃迁： 2MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： DPAK

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key
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NJVMJD3055T4G_双极性晶体管
NJVMJD3055T4G
ON(安森美)
授权代理品牌
+2500：

￥6.064505

+5000：

￥5.761319

+12500：

￥5.544796

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 10 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 8V 3.3A，10A

电流 - 集电极截止（最大值）： 50µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 4A，4V

功率 - 最大值： 1.75 W

频率 - 跃迁： 2MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： DPAK

温度： -55°C # 150°C（TJ）

NJVMJD3055T4G_双极性晶体管
NJVMJD3055T4G
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥14.3112

+10：

￥12.774072

+100：

￥9.963512

+500：

￥8.23053

+1000：

￥6.497815

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装： DPAK

NJVMJD3055T4G_双极性晶体管
NJVMJD3055T4G
ON(安森美)
授权代理品牌
+1：

￥14.3112

+10：

￥12.774072

+100：

￥9.963512

+500：

￥8.23053

+1000：

￥6.497815

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装： DPAK

Mouser
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NJVMJD3055T4G_null
NJVMJD3055T4G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS NPN 60V 10A DPAK

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￥15.436224

+10：

￥13.933582

+100：

￥10.791696

+500：

￥8.920225

+1000：

￥7.048754

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： *

系列： MJD3055

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： NPN

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 60 V

集电极—基极电压 VCBO： 70 V

发射极 - 基极电压 VEBO： 5 V

集电极—射极饱和电压： 1.1 V

最大直流电集电极电流： 10 A

Pd-功率耗散： 20 W

增益带宽产品fT： 2 MHz

资格： AEC-Q101

商标： onsemi

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

单位重量： 351 mg

温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿
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NJVMJD3055T4G_未分类
NJVMJD3055T4G
授权代理品牌

Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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未分类
+2500：

￥5.152463

库存： 0

货期：7~10 天

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NJVMJD3055T4G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 10 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 60 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 8V 3.3A，10A
电流 - 集电极截止（最大值）: 50µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 20 4A，4V
功率 - 最大值: 1.75 W
频率 - 跃迁: 2MHz
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装: DPAK
温度: -55°C # 150°C（TJ）