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自营 现货库存
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NSV20101JT1G_null
NSV20101JT1G
授权代理品牌

TRANS NPN 20V 1A 89SC3

+1:

¥11.025615

+200:

¥4.272563

+500:

¥4.119581

+1000:

¥4.04309

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 220mV 100mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 100mA,2V

功率 - 最大值: 255 mW

频率 - 跃迁: 350MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-89,SOT-490

供应商器件封装: SC-89-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSV20101JT1G_双极性晶体管
授权代理品牌
+3000:

¥8.914218

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 220mV 100mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 100mA,2V

功率 - 最大值: 255 mW

频率 - 跃迁: 350MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-89,SOT-490

供应商器件封装: SC-89-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSV20101JT1G_晶体管
NSV20101JT1G
授权代理品牌

TRANS NPN 20V 1A 89SC3

晶体管

+3000:

¥9.874358

+6000:

¥9.401823

+9000:

¥8.97817

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Reel

封装/外壳: SC-89-3

系列: NSS20101J

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: NPN

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 20 V

集电极—基极电压 VCBO: 40 V

发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V

最大直流电集电极电流: 2 A

Pd-功率耗散: 300 mW

增益带宽产品fT: 350 MHz

资格: AEC-Q101

商标: onsemi

高度: 0.7 mm

长度: 1.6 mm

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors

技术: Si

宽度: 0.85 mm

温度: - 55 C~+ 150 C

NSV20101JT1G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A
电压 - 集射极击穿(最大值): 20 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 220mV 100mA,1A
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 100mA,2V
功率 - 最大值: 255 mW
频率 - 跃迁: 350MHz
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-89,SOT-490
供应商器件封装: SC-89-3
温度: -55°C # 150°C(TJ)