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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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![]() | NJVMJD128T4G 授权代理品牌 | +2500: ¥6.674767 +5000: ¥6.607691 +10000: ¥6.542176 +15000: ¥6.47666 +20000: ¥6.411145 | 暂无参数 |
NJVMJD128T4G参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | onsemi |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
晶体管类型: | PNP - 达林顿 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 8 A |
电压 - 集射极击穿(最大值): | 120 V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): | 4V 80mA,8A |
电流 - 集电极截止(最大值): | 5mA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): | 1000 4A,4V |
功率 - 最大值: | 1.75 W |
频率 - 跃迁: | - |
工作温度: | -65°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
供应商器件封装: | DPAK |
温度: | -65°C # 150°C(TJ) |