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自营 现货库存
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NSS1C201MZ4T3G_未分类
NSS1C201MZ4T3G
授权代理品牌

TRANS NPN 100V 2A SOT223-4

未分类

+1:

¥3.532796

+200:

¥1.368561

+500:

¥1.315516

+1000:

¥1.294298

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 180mV 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 500mA,2V

功率 - 最大值: 800 mW

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223(TO-261)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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NSS1C201MZ4T3G_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS NPN 100V 2A SOT223

双极性晶体管

+4000:

¥1.509149

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 180mV 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 500mA,2V

功率 - 最大值: 800 mW

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223(TO-261)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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NSS1C201MZ4T3G_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS NPN 100V 2A SOT223-4

双极性晶体管

+4000:

¥3.691778

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 180mV 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 500mA,2V

功率 - 最大值: 800 mW

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223(TO-261)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

NSS1C201MZ4T3G_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS NPN 100V 2A SOT223-4

双极性晶体管

+1:

¥9.775603

+10:

¥8.387185

+100:

¥6.260636

+500:

¥4.919538

+1000:

¥3.801432

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223

NSS1C201MZ4T3G_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS NPN 100V 2A SOT223-4

双极性晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223

Mouser
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NSS1C201MZ4T3G_晶体管
NSS1C201MZ4T3G
授权代理品牌

TRANS NPN 100V 2A SOT223-4

晶体管

+1:

¥11.939684

+10:

¥8.374362

+100:

¥5.704517

+500:

¥4.361301

+1000:

¥3.565323

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: SOT-223-4

系列: NSS1C201MZ4

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: NPN

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 100 V

集电极—基极电压 VCBO: 140 V

发射极 - 基极电压 VEBO: 7 V

集电极—射极饱和电压: 180 mV

最大直流电集电极电流: 2 A

Pd-功率耗散: 2 W

增益带宽产品fT: 100 MHz

商标: onsemi

直流集电极/Base Gain hfe Min: 120

直流电流增益 hFE 最大值: 150

高度: 1.57 mm

长度: 6.5 mm

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors

技术: Si

宽度: 3.5 mm

单位重量: 112 mg

温度: - 55 C~+ 150 C

艾睿
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NSS1C201MZ4T3G_未分类
NSS1C201MZ4T3G
授权代理品牌

Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

未分类

+4000:

¥3.31248

库存: 0

货期:7~10 天

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NSS1C201MZ4T3G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A
电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 180mV 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 500mA,2V
功率 - 最大值: 800 mW
频率 - 跃迁: 100MHz
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装: SOT-223(TO-261)
温度: -55°C # 150°C(TJ)