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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSV1C300ET4G_未分类
NSV1C300ET4G
授权代理品牌

TRANS PNP 100V 3A 3DPAK

未分类

+1:

¥5.157671

+200:

¥1.99969

+500:

¥1.934127

+1000:

¥1.890418

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 300mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1A,2V

功率 - 最大值: 2.1 W

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -65°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: DPAK

温度: -65°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSV1C300ET4G_双极性晶体管
授权代理品牌
+2500:

¥1.83104

+5000:

¥1.727373

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 300mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1A,2V

功率 - 最大值: 2.1 W

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -65°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: DPAK

温度: -65°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSV1C300ET4G_双极性晶体管
授权代理品牌
+2500:

¥4.726514

+5000:

¥4.363018

+7500:

¥4.177752

+12500:

¥3.969691

+17500:

¥3.933738

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 300mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1A,2V

功率 - 最大值: 2.1 W

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -65°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: DPAK

温度: -65°C # 150°C(TJ)

NSV1C300ET4G_双极性晶体管
授权代理品牌
+1:

¥18.205376

+10:

¥11.473977

+100:

¥7.543758

+500:

¥5.857849

+1000:

¥5.314594

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -65°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: DPAK

NSV1C300ET4G_双极性晶体管
授权代理品牌
+1:

¥18.205376

+10:

¥11.473977

+100:

¥7.543758

+500:

¥5.857849

+1000:

¥5.314594

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -65°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: DPAK

Mouser
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NSV1C300ET4G_晶体管
NSV1C300ET4G
授权代理品牌

TRANS PNP 100V 3A 3DPAK

晶体管

+1:

¥14.095459

+10:

¥10.380892

+100:

¥7.16381

+500:

¥5.721099

+1000:

¥5.240194

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: DPAK-3

系列: NSS1C300E

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: PNP

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: - 100 V

集电极—基极电压 VCBO: - 140 V

发射极 - 基极电压 VEBO: - 6 V

集电极—射极饱和电压: - 400 mV

最大直流电集电极电流: - 3 A

Pd-功率耗散: 33 W

增益带宽产品fT: 100 MHz

资格: AEC-Q101

商标: onsemi

集电极连续电流: 3 A

直流集电极/Base Gain hfe Min: 120

直流电流增益 hFE 最大值: 360

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors

技术: Si

零件号别名: NSV1C300ET4G-VF01

单位重量: 260.400 mg

温度: - 65 C~+ 150 C

艾睿
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NSV1C300ET4G_未分类
NSV1C300ET4G
授权代理品牌

Trans GP BJT PNP 100V 3A 2100mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

未分类

+2500:

¥3.935993

+5000:

¥3.819908

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSV1C300ET4G_未分类
NSV1C300ET4G
授权代理品牌

PNP 100 V 3 A 2.1 W Surface Mount Low VCE(sat) Transistor - TO-252 (DPAK)

未分类

+2500:

¥2.586965

+5000:

¥2.538153

+7500:

¥2.440532

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

NSV1C300ET4G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A
电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 300mA,3A
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1A,2V
功率 - 最大值: 2.1 W
频率 - 跃迁: 100MHz
工作温度: -65°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装: DPAK
温度: -65°C # 150°C(TJ)