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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NSVBCP69T1G_未分类
NSVBCP69T1G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS PNP 20V 1A SOT223

未分类
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￥0.538223

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￥0.208286

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￥0.200966

+1000：

￥0.19735

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 100mA, 1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 85 500mA, 1V

功率 - 最大值： 1.5 W

频率 - 跃迁： 60MHz

工作温度： -65°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223 (TO-261)

温度： -65°C # 150°C (TJ)

图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NSVBCP69T1G_双极性晶体管
NSVBCP69T1G
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥2.383731

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￥1.78786

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￥1.330281

+2000：

￥1.149286

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￥1.074802

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 100mA, 1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 85 500mA, 1V

功率 - 最大值： 1.5 W

频率 - 跃迁： 60MHz

工作温度： -65°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223 (TO-261)

温度： -65°C # 150°C (TJ)

NSVBCP69T1G_双极性晶体管
NSVBCP69T1G
ON(安森美)
授权代理品牌
+1000：

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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 100mA, 1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 85 500mA, 1V

功率 - 最大值： 1.5 W

频率 - 跃迁： 60MHz

工作温度： -65°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223 (TO-261)

温度： -65°C # 150°C (TJ)

自营 国内现货
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NSVBCP69T1G_双极性晶体管
NSVBCP69T1G
ON(安森美)
授权代理品牌
+1000：

￥0.7667

+2000：

￥0.702864

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￥0.660214

+10000：

￥0.617619

+25000：

￥0.566506

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 100mA, 1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 85 500mA, 1V

功率 - 最大值： 1.5 W

频率 - 跃迁： 60MHz

工作温度： -65°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223 (TO-261)

温度： -65°C # 150°C (TJ)

Digi-Key
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NSVBCP69T1G_双极性晶体管
NSVBCP69T1G
ON(安森美)
授权代理品牌
+1000：

￥1.87555

+2000：

￥1.719392

+5000：

￥1.615057

+10000：

￥1.510859

+25000：

￥1.385824

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 100mA, 1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 85 500mA, 1V

功率 - 最大值： 1.5 W

频率 - 跃迁： 60MHz

工作温度： -65°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223 (TO-261)

温度： -65°C # 150°C (TJ)

NSVBCP69T1G_双极性晶体管
NSVBCP69T1G
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥6.032467

+10：

￥4.894525

+100：

￥3.33431

+500：

￥2.500733

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： -65°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223 (TO-261)

NSVBCP69T1G_双极性晶体管
NSVBCP69T1G
ON(安森美)
授权代理品牌
+1：

￥6.032467

+10：

￥4.894525

+100：

￥3.33431

+500：

￥2.500733

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： -65°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223 (TO-261)

Mouser
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TRANS PNP 20V 1A SOT223

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未分类
+1：

￥6.211209

+10：

￥4.903585

+100：

￥2.729664

+1000：

￥1.683565

+2000：

￥1.60184

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Cut Tape,Reel

封装/外壳： TO-261-4

系列： BCP69

产品种类： 双极晶体管 - 预偏置

配置： Single Dual Collector

晶体管极性： PNP

安装风格： SMD/SMT

直流集电极/Base Gain hfe Min： 50

最大工作频率： 60 MHz

集电极—发射极最大电压 VCEO： 20 V

集电极连续电流： 1 A

Pd-功率耗散： 1.5 W

商标： onsemi

集电极—基极电压 VCBO： 25 V

高度： 1.65 mm

长度： 6.7 mm

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

资格： AEC-Q101

宽度： 3.7 mm

单位重量： 300 mg

温度： - 65 C~+ 150 C

NSVBCP69T1G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 20 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV 100mA, 1A
电流 - 集电极截止（最大值）: 10µA (ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 85 500mA, 1V
功率 - 最大值: 1.5 W
频率 - 跃迁: 60MHz
工作温度: -65°C # 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: TO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装: SOT-223 (TO-261)
温度: -65°C # 150°C (TJ)