品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 最后售卖

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 4 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 2A，2V

功率 - 最大值： 1.2 W

频率 - 跃迁： 75MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223-4

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 最后售卖

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 4 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 2A，2V

功率 - 最大值： 1.2 W

频率 - 跃迁： 75MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223-4

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 最后售卖

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 4 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 2A，2V

功率 - 最大值： 1.2 W

频率 - 跃迁： 75MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223-4

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 最后售卖

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 4 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 2A，2V

功率 - 最大值： 1.2 W

频率 - 跃迁： 75MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223-4

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 最后售卖

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 4 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 2A，2V

功率 - 最大值： 1.2 W

频率 - 跃迁： 75MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223-4

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 最后售卖

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 4 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 2A，2V

功率 - 最大值： 1.2 W

频率 - 跃迁： 75MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223-4

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-261-4, TO-261AA

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： PNP

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 500mV @ 200mA, 2A

Current - Collector Cutoff (Max)： 100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 40 @ 2A, 2V

Frequency - Transition： 75MHz

Supplier Device Package： SOT-223-4

Current - Collector (Ic) (Max)： 4 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 60 V

Power - Max： 1.2 W

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOT-223-4

系列： NZT751

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： PNP

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： - 60 V

集电极—基极电压 VCBO： - 80 V

发射极 - 基极电压 VEBO： - 5 V

集电极—射极饱和电压： - 500 mV

最大直流电集电极电流： - 4 A

Pd-功率耗散： 1.2 W

增益带宽产品fT： 75 MHz

商标： onsemi / Fairchild

集电极连续电流： 4 A

直流集电极/Base Gain hfe Min： 75

高度： 1.6 mm

长度： 6.5 mm

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

宽度： 3.56 mm

零件号别名： NZT751_NL

单位重量： 112 mg

温度： - 55 C~+ 150 C