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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NZT751 ON(安森美) 授权代理品牌	TRANS PNP 60V 4A SOT223-4 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥9.658099 +50：￥8.048436 +200：￥6.438773 +1000：￥5.365624	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：最后售卖晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 4 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 2A，2V 功率 - 最大值： 1.2 W 频率 - 跃迁： 75MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NZT751 ON(安森美) 授权代理品牌	TRANS PNP 60V 4A SOT223-4 下载数据手册未分类	+1：￥5.780526 +10：￥5.638471 +30：￥5.540126 +100：￥5.44178	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：最后售卖晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 4 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 2A，2V 功率 - 最大值： 1.2 W 频率 - 跃迁： 75MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NZT751 ON(安森美) 授权代理品牌	TRANS PNP 60V 4A SOT223-4 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥7.23338	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：最后售卖晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 4 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 2A，2V 功率 - 最大值： 1.2 W 频率 - 跃迁： 75MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NZT751 ON Semiconductor 授权代理品牌	TRANS PNP 60V 4A SOT223-4 下载数据手册未分类	+842：￥3.331355 +4209：￥3.265438	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：最后售卖晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 4 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 2A，2V 功率 - 最大值： 1.2 W 频率 - 跃迁： 75MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NZT751 ON(安森美) 授权代理品牌	TRANS PNP 60V 4A SOT223-4 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：最后售卖晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 4 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 2A，2V 功率 - 最大值： 1.2 W 频率 - 跃迁： 75MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NZT751 ON(安森美) 授权代理品牌	TRANS PNP 60V 4A SOT223-4 下载数据手册双极性晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：最后售卖晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 4 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 2A，2V 功率 - 最大值： 1.2 W 频率 - 跃迁： 75MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NZT751 ON(安森美) 授权代理品牌	TRANS PNP 60V 4A SOT223-4 下载数据手册双极性晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：最后售卖晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 4 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 2A，2V 功率 - 最大值： 1.2 W 频率 - 跃迁： 75MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-4 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NZT751 ON(安森美) 授权代理品牌	TRANS PNP 60V 4A SOT223-4 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥26.160666	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-4
	NZT751 ON(安森美) 授权代理品牌	TRANS PNP 60V 4A SOT223-4 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥26.160666	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-4
	NZT751 ON Semiconductor 授权代理品牌	POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 4A, PN 下载数据手册未分类	+478：￥9.63814	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-261-4, TO-261AA Mounting Type： Surface Mount Transistor Type： PNP Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max)： 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 40 @ 2A, 2V Frequency - Transition： 75MHz Supplier Device Package： SOT-223-4 Current - Collector (Ic) (Max)： 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 60 V Power - Max： 1.2 W

NZT751参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	最后售卖
晶体管类型:	PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	4 A
电压 - 集射极击穿（最大值）:	60 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	500mV 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）:	100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	40 2A，2V
功率 - 最大值:	1.2 W
频率 - 跃迁:	75MHz
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装:	SOT-223-4
温度:	-55°C # 150°C（TJ）