![NJVMJD44H11T4G_未分类]() | NJVMJD44H11T4G | TRANS NPN 80V 8A DPAK 未分类 | | | 品牌： onsemi 包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态： 在售 晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 8 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 400mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 60 2A，1V 功率 - 最大值： 1.75 W 频率 - 跃迁： 85MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装： DPAK 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
![NJVMJD44H11T4G_未分类]() | NJVMJD44H11T4G | TRANS NPN 80V 8A DPAK 未分类 | | | Packaging： Bulk Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Transistor Type： NPN Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max)： 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition： 85MHz Supplier Device Package： DPAK Part Status： Active Current - Collector (Ic) (Max)： 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 80 V Power - Max： 1.75 W |
 | NJVMJD44H11T4G | | | | 品牌： onsemi 包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态： 在售 晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 8 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 400mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 60 2A，1V 功率 - 最大值： 1.75 W 频率 - 跃迁： 85MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装： DPAK 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| NJVMJD44H11T4G | | | | 品牌： onsemi 包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态： 在售 晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 8 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 400mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 60 2A，1V 功率 - 最大值： 1.75 W 频率 - 跃迁： 85MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装： DPAK 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| NJVMJD44H11T4G | | | | 品牌： onsemi 包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态： 在售 晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 8 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 400mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 60 2A，1V 功率 - 最大值： 1.75 W 频率 - 跃迁： 85MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装： DPAK 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| NJVMJD44H11T4G | | | | 品牌： onsemi 包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态： 在售 晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 8 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 400mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 60 2A，1V 功率 - 最大值： 1.75 W 频率 - 跃迁： 85MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装： DPAK 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| NJVMJD44H11T4G | | | | 品牌： onsemi 包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态： 在售 晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 8 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 400mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 60 2A，1V 功率 - 最大值： 1.75 W 频率 - 跃迁： 85MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装： DPAK 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| NJVMJD44H11T4G | | | | 品牌： onsemi 包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态： 在售 晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 8 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 400mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 60 2A，1V 功率 - 最大值： 1.75 W 频率 - 跃迁： 85MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装： DPAK 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
