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NJVMJD50T4G_双极性晶体管
NJVMJD50T4G
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥9.93168

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￥8.2764

+30：

￥6.62112

+100：

￥5.5176

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 400 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 200mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 200µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 300mA，10V

功率 - 最大值： 1.56 W

频率 - 跃迁： 10MHz

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： DPAK

温度： -65°C # 150°C（TJ）

自营 现货库存
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NJVMJD50T4G_未分类
NJVMJD50T4G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS NPN 400V 1A DPAK

未分类
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￥4.469253

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￥4.370908

+30：

￥4.294417

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 400 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 200mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 200µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 300mA，10V

功率 - 最大值： 1.56 W

频率 - 跃迁： 10MHz

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： DPAK

温度： -65°C # 150°C（TJ）

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NJVMJD50T4G_未分类
NJVMJD50T4G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS NPN 400V 1A DPAK

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未分类
+2500：

￥4.44568

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 400 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 200mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 200µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 300mA，10V

功率 - 最大值： 1.56 W

频率 - 跃迁： 10MHz

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： DPAK

温度： -65°C # 150°C（TJ）

NJVMJD50T4G_未分类
NJVMJD50T4G
ON(安森美)
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TRANS NPN 400V 1A DPAK

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未分类
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￥5.893163

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￥4.667227

+1000：

￥3.731547

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￥3.36599

+5000：

￥3.183098

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国内：1~2 天

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自营 国内现货
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NJVMJD50T4G_双极性晶体管
NJVMJD50T4G
ON(安森美)
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TRANS NPN 400V 1A DPAK-4

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双极性晶体管
+2500：

￥1.567165

+5000：

￥1.484662

+12500：

￥1.374701

+25000：

￥1.361035

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 400 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 200mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 200µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 300mA，10V

功率 - 最大值： 1.56 W

频率 - 跃迁： 10MHz

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： DPAK

温度： -65°C # 150°C（TJ）

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NJVMJD50T4G_双极性晶体管
NJVMJD50T4G
ON(安森美)
授权代理品牌
+2500：

￥4.072651

+5000：

￥3.749697

+7500：

￥3.585236

+12500：

￥3.400274

+17500：

￥3.291196

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 400 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 200mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 200µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 300mA，10V

功率 - 最大值： 1.56 W

频率 - 跃迁： 10MHz

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： DPAK

温度： -65°C # 150°C（TJ）

NJVMJD50T4G_双极性晶体管
NJVMJD50T4G
ON(安森美)
授权代理品牌
+1：

￥16.063567

+10：

￥10.051203

+100：

￥6.573825

+500：

￥5.077313

+1000：

￥4.5951

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： -65°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装： DPAK

NJVMJD50T4G_双极性晶体管
NJVMJD50T4G
ON(安森美)
授权代理品牌
+1：

￥16.063567

+10：

￥10.051203

+100：

￥6.573825

+500：

￥5.077313

+1000：

￥4.5951

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： -65°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装： DPAK

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NJVMJD50T4G_未分类
NJVMJD50T4G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS NPN 400V 1A DPAK

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未分类
+1：

￥8.954763

+10：

￥7.064313

+100：

￥5.737681

+500：

￥4.925121

+1000：

￥4.510548

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： DPAK-3

系列： MJD50

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： NPN

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 400 V

集电极—基极电压 VCBO： 500 V

发射极 - 基极电压 VEBO： 5 V

集电极—射极饱和电压： 1 V

最大直流电集电极电流： 1 A

Pd-功率耗散： 15 W

增益带宽产品fT： 10 MHz

资格： AEC-Q101

商标： onsemi

直流集电极/Base Gain hfe Min： 25 at 200 mA, 10 V

直流电流增益 hFE 最大值： 150 at 300 mA, 10 V

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

单位重量： 351 mg

温度： - 65 C~+ 150 C

艾睿
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NJVMJD50T4G_未分类
NJVMJD50T4G
ON Semiconductor
授权代理品牌

Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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未分类
+2500：

￥5.935717

+5000：

￥5.915596

+10000：

￥5.897021

+15000：

￥5.875353

+20000：

￥5.855233

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数

NJVMJD50T4G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 400 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 1V 200mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）: 200µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 30 300mA，10V
功率 - 最大值: 1.56 W
频率 - 跃迁: 10MHz
工作温度: -65°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装: DPAK
温度: -65°C # 150°C（TJ）