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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NJVMJD45H11T4G_双极性晶体管
NJVMJD45H11T4G
授权代理品牌
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¥3.079283

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¥2.96352

+100:

¥2.68569

+500:

¥2.546775

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 8 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V 400mA,8A

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 60 2A,1V

功率 - 最大值: 1.75 W

频率 - 跃迁: 90MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: DPAK

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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NJVMJD45H11T4G_双极性晶体管
NJVMJD45H11T4G
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¥2.562296

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 8 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V 400mA,8A

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 60 2A,1V

功率 - 最大值: 1.75 W

频率 - 跃迁: 90MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: DPAK

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 现货库存
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NJVMJD45H11T4G_未分类
NJVMJD45H11T4G
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TRANS PNP 80V 8A DPAK

未分类

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¥4.534817

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¥3.737126

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¥3.332817

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¥2.939436

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 8 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V 400mA,8A

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 60 2A,1V

功率 - 最大值: 1.75 W

频率 - 跃迁: 90MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: DPAK

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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NJVMJD45H11T4G_未分类
NJVMJD45H11T4G
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TRANS PNP 80V 8A DPAK

未分类

+2500:

¥5.185843

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 8 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V 400mA,8A

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 60 2A,1V

功率 - 最大值: 1.75 W

频率 - 跃迁: 90MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: DPAK

温度: -55°C # 150°C(TJ)

NJVMJD45H11T4G_双极性晶体管
NJVMJD45H11T4G
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¥9.300918

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¥7.247027

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¥5.991354

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¥4.724881

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¥4.405718

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 8 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V 400mA,8A

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 60 2A,1V

功率 - 最大值: 1.75 W

频率 - 跃迁: 90MHz

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安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: DPAK

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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¥2.325437

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封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 8 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V 400mA,8A

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 60 2A,1V

功率 - 最大值: 1.75 W

频率 - 跃迁: 90MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

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¥3.245633

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¥3.084029

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¥3.004964

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¥2.926824

库存: 1000 +

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品牌: onsemi

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系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 8 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V 400mA,8A

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 60 2A,1V

功率 - 最大值: 1.75 W

频率 - 跃迁: 90MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: DPAK

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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¥3.218545

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¥3.004964

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¥2.926824

库存: 1000 +

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系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 8 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V 400mA,8A

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 60 2A,1V

功率 - 最大值: 1.75 W

频率 - 跃迁: 90MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: DPAK

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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¥4.694976

库存: 1000 +

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系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 8 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V 400mA,8A

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 60 2A,1V

功率 - 最大值: 1.75 W

频率 - 跃迁: 90MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

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温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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¥2.141096

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¥2.042273

+25000:

¥2.038361

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 8 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V 400mA,8A

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 60 2A,1V

功率 - 最大值: 1.75 W

频率 - 跃迁: 90MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: DPAK

温度: -55°C # 150°C(TJ)

NJVMJD45H11T4G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 8 A
电压 - 集射极击穿(最大值): 80 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V 400mA,8A
电流 - 集电极截止(最大值): 1µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 60 2A,1V
功率 - 最大值: 1.75 W
频率 - 跃迁: 90MHz
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装: DPAK
温度: -55°C # 150°C(TJ)