品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1.5 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.5V 100µA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 200nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 1A，5V

功率 - 最大值： 1 W

频率 - 跃迁： 200MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223-4

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1.5 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.5V 100µA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 200nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 1A，5V

功率 - 最大值： 1 W

频率 - 跃迁： 200MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223-4

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1.5 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.5V 100µA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 200nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 1A，5V

功率 - 最大值： 1 W

频率 - 跃迁： 200MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223-4

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1.5 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.5V 100µA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 200nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 1A，5V

功率 - 最大值： 1 W

频率 - 跃迁： 200MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223-4

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOT-223

系列： NZT7053

产品种类： 达林顿晶体管

配置： Single Dual Collector

晶体管极性： NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO： 100 V

发射极 - 基极电压 VEBO： 12 V

集电极—基极电压 VCBO： 100 V

最大直流电集电极电流： 1.5 A

最大集电极截止电流： 0.1 uA

安装风格： SMD/SMT

商标： onsemi / Fairchild

直流集电极/Base Gain hfe Min： 1000

高度： 1.6 mm

长度： 6.5 mm

产品类型： Darlington Transistors

宽度： 3.56 mm

零件号别名： NZT7053_NL

单位重量： 112 mg

温度： - 55 C~+ 150 C