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搜索 NSS20200LT1G 共 7 条相关记录
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NSS20200LT1G_双极性晶体管
NSS20200LT1G
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥6.284861

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￥4.700487

+800：

￥3.644157

+3000：

￥2.640704

+6000：

￥2.508693

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 180mV 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 250 500mA，2V

功率 - 最大值： 460 mW

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营 现货库存
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NSS20200LT1G_未分类
NSS20200LT1G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS PNP 20V 2A SOT-23

未分类
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￥1.562098

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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 180mV 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 250 500mA，2V

功率 - 最大值： 460 mW

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营 国内现货
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NSS20200LT1G_双极性晶体管
NSS20200LT1G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS PNP 20V 2A SOT23-3

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双极性晶体管
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￥0.480734

+75000：

￥0.451808

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 180mV 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 250 500mA，2V

功率 - 最大值： 460 mW

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NSS20200LT1G_双极性晶体管
NSS20200LT1G
ON(安森美)
授权代理品牌
+3000：

￥1.383797

+6000：

￥1.32635

+9000：

￥1.193657

+30000：

￥1.176004

+75000：

￥1.105244

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 180mV 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 250 500mA，2V

功率 - 最大值： 460 mW

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

NSS20200LT1G_双极性晶体管
NSS20200LT1G
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授权代理品牌
+1：

￥5.064609

+10：

￥3.979337

+100：

￥2.387603

+500：

￥2.210485

+1000：

￥1.503176

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3 (TO-236)

NSS20200LT1G_双极性晶体管
NSS20200LT1G
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥5.064609

+10：

￥3.979337

+100：

￥2.387603

+500：

￥2.210485

+1000：

￥1.503176

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3 (TO-236)

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NSS20200LT1G_未分类
NSS20200LT1G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS PNP 20V 2A SOT-23

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未分类
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￥5.789583

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￥4.548959

+100：

￥2.431627

+1000：

￥1.720335

+3000：

￥1.488751

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOT-23-3

系列： NSS20200L

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： PNP

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： - 20 V

集电极—基极电压 VCBO： - 20 V

发射极 - 基极电压 VEBO： - 7 V

集电极—射极饱和电压： - 130 mV

最大直流电集电极电流： - 2 A

Pd-功率耗散： 540 mW

增益带宽产品fT： 100 MHz

商标： onsemi

集电极连续电流： - 2 A

直流集电极/Base Gain hfe Min： 250

高度： 0.94 mm

长度： 2.9 mm

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

宽度： 1.3 mm

单位重量： 8 mg

温度： - 55 C~+ 150 C

NSS20200LT1G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 2 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 20 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 180mV 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 250 500mA，2V
功率 - 最大值: 460 mW
频率 - 跃迁: 100MHz
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236）
温度: -55°C # 150°C（TJ）