品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

类型： MOSFET

配置： 三相反相器

电流： 160 A

电压： -

电压 - 隔离： 2500Vrms

安装类型： 通孔

封装/外壳： 19-PowerDIP 模块（1.480，37.60mm）

温度：

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

类型： MOSFET

配置： 三相反相器

电流： 160 A

电压： -

电压 - 隔离： 2500Vrms

安装类型： 通孔

封装/外壳： 19-PowerDIP 模块（1.480，37.60mm）

温度：

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

类型： MOSFET

配置： 三相反相器

电流： 160 A

电压： -

电压 - 隔离： 2500Vrms

安装类型： 通孔

封装/外壳： 19-PowerDIP 模块（1.480，37.60mm）

温度：

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： APM-19

系列：

产品种类： 分立半导体模块

产品： Power MOSFET Modules

类型： 3 Phase Bridge

Vf - 正向电压： -

Vr - 反向电压 ： -

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

安装风格： Through Hole

资格： AEC-Q100

商标： onsemi

下降时间： 23 ns

栅极触发电流-Igt： -

Id-连续漏极电流： 160 A

If - 正向电流： -

通道数量： 6 Channel

输出电流： -

产品类型： Discrete Semiconductor Modules

上升时间： 40 ns

技术： Si

晶体管极性： N-Channel

典型关闭延迟时间： 47 ns

典型接通延迟时间： 33 ns

Vds-漏源极击穿电压： 40 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 4 V

单位重量： 64.190 g

温度： - 40 C~+ 150 C