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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSV1C301ET4G_双极性晶体管
NSV1C301ET4G
授权代理品牌
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¥18.080064

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¥18.080064

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 300mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 500mA,2V

功率 - 最大值: 2.1 W

频率 - 跃迁: 120MHz

工作温度: -65°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: DPAK

温度: -65°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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NSV1C301ET4G_双极性晶体管
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 300mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 500mA,2V

功率 - 最大值: 2.1 W

频率 - 跃迁: 120MHz

工作温度: -65°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: DPAK

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NSV1C301ET4G_双极性晶体管
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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 300mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 500mA,2V

功率 - 最大值: 2.1 W

频率 - 跃迁: 120MHz

工作温度: -65°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: DPAK

温度: -65°C # 150°C(TJ)

Mouser
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NSV1C301ET4G_晶体管
NSV1C301ET4G
授权代理品牌

TRANS NPN 100V 3A 3DPAK

晶体管

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: DPAK-3

系列:

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: NPN

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 100 V

集电极—基极电压 VCBO: 140 V

发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V

集电极—射极饱和电压: 0.115 V

最大直流电集电极电流: 6 A

Pd-功率耗散: 33 W

增益带宽产品fT: 120 MHz

资格: AEC-Q101

商标: onsemi

集电极连续电流: 3 A

直流集电极/Base Gain hfe Min: 120

直流电流增益 hFE 最大值: 360

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors

技术: Si

单位重量: 260.400 mg

温度: - 65 C~+ 150 C

NSV1C301ET4G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A
电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 300mA,3A
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 500mA,2V
功率 - 最大值: 2.1 W
频率 - 跃迁: 120MHz
工作温度: -65°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装: DPAK
温度: -65°C # 150°C(TJ)