品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 4 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 350 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.5V 20mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 50µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 2000 2A，2V

功率 - 最大值： 45 W

频率 - 跃迁： 90MHz

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： DPAK

温度： -65°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 4 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 350 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.5V 20mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 50µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 2000 2A，2V

功率 - 最大值： 45 W

频率 - 跃迁： 90MHz

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： DPAK

温度： -65°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-252-3 (DPAK)

系列： NJD35N04

产品种类： 达林顿晶体管

配置： Single

晶体管极性： NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO： 350 V

发射极 - 基极电压 VEBO： 5 V

集电极—基极电压 VCBO： 700 V

最大直流电集电极电流： 4 A

安装风格： SMD/SMT

商标： onsemi

直流集电极/Base Gain hfe Min： 2000, 300

高度： 2.38 mm

长度： 6.73 mm

产品类型： Darlington Transistors

宽度： 6.22 mm

单位重量： 426 mg

温度： - 65 C~+ 150 C