品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.2V 375mA，3A

电流 - 集电极截止（最大值）： 20µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 10 3A，4V

功率 - 最大值： 1.56 W

频率 - 跃迁： 3MHz

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： DPAK

温度： -65°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.2V 375mA，3A

电流 - 集电极截止（最大值）： 20µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 10 3A，4V

功率 - 最大值： 1.56 W

频率 - 跃迁： 3MHz

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： DPAK

温度： -65°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.2V 375mA，3A

电流 - 集电极截止（最大值）： 20µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 10 3A，4V

功率 - 最大值： 1.56 W

频率 - 跃迁： 3MHz

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： DPAK

温度： -65°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.2V 375mA，3A

电流 - 集电极截止（最大值）： 20µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 10 3A，4V

功率 - 最大值： 1.56 W

频率 - 跃迁： 3MHz

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： DPAK

温度： -65°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.2V 375mA，3A

电流 - 集电极截止（最大值）： 20µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 10 3A，4V

功率 - 最大值： 1.56 W

频率 - 跃迁： 3MHz

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： DPAK

温度： -65°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.2V 375mA，3A

电流 - 集电极截止（最大值）： 20µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 10 3A，4V

功率 - 最大值： 1.56 W

频率 - 跃迁： 3MHz

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： DPAK

温度： -65°C # 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： PNP

Operating Temperature： -65°C # 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 1.2V @ 375mA, 3A

Current - Collector Cutoff (Max)： 20µA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 10 @ 3A, 4V

Frequency - Transition： 3MHz

Supplier Device Package： DPAK

Part Status： Obsolete

Current - Collector (Ic) (Max)： 3 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 100 V

Power - Max： 1.56 W

品牌： onsemi

包装： *

封装/外壳： *

系列：

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： PNP

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： - 100 V

集电极—基极电压 VCBO： - 100 V

发射极 - 基极电压 VEBO： - 5 V

集电极—射极饱和电压： - 1.2 V

最大直流电集电极电流： - 3 A

Pd-功率耗散： 15 W

增益带宽产品fT： 3 MHz

商标： onsemi

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

温度： - 65 C~+ 150 C