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NJVMJD32CT4G-VF01_双极性晶体管
NJVMJD32CT4G-VF01
ON(安森美)
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国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.2V 375mA，3A

电流 - 集电极截止（最大值）： 20µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 10 3A，4V

功率 - 最大值： 1.56 W

频率 - 跃迁： 3MHz

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： DPAK

温度： -65°C # 150°C（TJ）

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NJVMJD32CT4G-VF01_未分类
NJVMJD32CT4G-VF01
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TRANS PNP 100V 3A DPAK

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品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.2V 375mA，3A

电流 - 集电极截止（最大值）： 20µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 10 3A，4V

功率 - 最大值： 1.56 W

频率 - 跃迁： 3MHz

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： DPAK

温度： -65°C # 150°C（TJ）

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NJVMJD32CT4G-VF01
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TRANS PNP 100V 3A DPAK

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品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.2V 375mA，3A

电流 - 集电极截止（最大值）： 20µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 10 3A，4V

功率 - 最大值： 1.56 W

频率 - 跃迁： 3MHz

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： DPAK

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包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

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晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.2V 375mA，3A

电流 - 集电极截止（最大值）： 20µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 10 3A，4V

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频率 - 跃迁： 3MHz

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

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品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

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零件状态： 停产

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.2V 375mA，3A

电流 - 集电极截止（最大值）： 20µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 10 3A，4V

功率 - 最大值： 1.56 W

频率 - 跃迁： 3MHz

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

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零件状态： 停产

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.2V 375mA，3A

电流 - 集电极截止（最大值）： 20µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 10 3A，4V

功率 - 最大值： 1.56 W

频率 - 跃迁： 3MHz

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： DPAK

温度： -65°C # 150°C（TJ）

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品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.2V 375mA，3A

电流 - 集电极截止（最大值）： 20µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 10 3A，4V

功率 - 最大值： 1.56 W

频率 - 跃迁： 3MHz

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： DPAK

温度： -65°C # 150°C（TJ）

NJVMJD32CT4G-VF01_双极性晶体管
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工作温度： -65°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装： DPAK

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工作温度： -65°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装： DPAK

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TRANS PNP 100V 3A DPAK

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Packaging： Bulk

Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： PNP

Operating Temperature： -65°C # 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 1.2V @ 375mA, 3A

Current - Collector Cutoff (Max)： 20µA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 10 @ 3A, 4V

Frequency - Transition： 3MHz

Supplier Device Package： DPAK

Part Status： Obsolete

Current - Collector (Ic) (Max)： 3 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 100 V

Power - Max： 1.56 W

NJVMJD32CT4G-VF01参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 3 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 100 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 1.2V 375mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）: 20µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 10 3A，4V
功率 - 最大值: 1.56 W
频率 - 跃迁: 3MHz
工作温度: -65°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装: DPAK
温度: -65°C # 150°C（TJ）