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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSVMMBT5401M3T5G_null
NSVMMBT5401M3T5G
授权代理品牌

PNP TRANSISTOR 150V

+1:

¥0.654882

+200:

¥0.25343

+500:

¥0.244525

+1000:

¥0.240124

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: SOT-723

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSVMMBT5401M3T5G_未分类
NSVMMBT5401M3T5G
授权代理品牌

PNP TRANSISTOR 150V

未分类

+100:

¥2.277343

+500:

¥1.574961

+1000:

¥1.18119

+2500:

¥1.000318

+8000:

¥0.819446

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 60 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 150 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 600mV 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 60 10mA,5V

功率 - 最大值: 130 mW

频率 - 跃迁: 180MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: SOT-723

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSVMMBT5401M3T5G_双极性晶体管
授权代理品牌
+1:

¥0.952848

+200:

¥0.368741

+500:

¥0.355782

+1000:

¥0.349379

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: SOT-723

NSVMMBT5401M3T5G_null
NSVMMBT5401M3T5G
授权代理品牌

TRANS PNP 150V 0.06A SOT723

+8000:

¥1.145266

+16000:

¥1.014428

+24000:

¥1.001344

+56000:

¥0.850819

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 60 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 150 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 600mV 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 60 10mA,5V

功率 - 最大值: 130 mW

频率 - 跃迁: 180MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: SOT-723

温度: -55°C # 150°C(TJ)

NSVMMBT5401M3T5G_null
NSVMMBT5401M3T5G
授权代理品牌

TRANS PNP 150V 0.06A SOT723

+1:

¥5.358109

+10:

¥3.763138

+100:

¥1.897769

+500:

¥1.681949

+1000:

¥1.308875

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Cut Tape (CT)

Package / Case: SOT-723

Mounting Type: Surface Mount

Transistor Type: PNP

Operating Temperature: -55°C # 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA

Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V

Frequency - Transition: 180MHz

Supplier Device Package: SOT-723

Part Status: Active

Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V

Power - Max: 130 mW

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NSVMMBT5401M3T5G
授权代理品牌

TRANS PNP 150V 0.06A SOT723

+1:

¥5.358109

+10:

¥3.763138

+100:

¥1.897769

+500:

¥1.681949

+1000:

¥1.308875

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Digi-Reel®

Package / Case: SOT-723

Mounting Type: Surface Mount

Transistor Type: PNP

Operating Temperature: -55°C # 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA

Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V

Frequency - Transition: 180MHz

Supplier Device Package: SOT-723

Part Status: Active

Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V

Power - Max: 130 mW

NSVMMBT5401M3T5G_未分类
NSVMMBT5401M3T5G
授权代理品牌

TRANS PNP 150V 0.06A SOT723

未分类

+15000:

¥0.377851

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Tape & Reel (TR)

Package / Case: SOT-723

Mounting Type: Surface Mount

Transistor Type: PNP

Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA

Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V

Frequency - Transition: 180MHz

Supplier Device Package: SOT-723

Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V

Power - Max: 130 mW

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSVMMBT5401M3T5G_未分类
NSVMMBT5401M3T5G
授权代理品牌

PNP TRANSISTOR 150V

未分类

+1:

¥6.812428

+10:

¥4.784543

+100:

¥2.138786

+1000:

¥1.489229

+8000:

¥1.283272

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Cut Tape,Reel

封装/外壳: SOT-723-3

系列:

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: PNP

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: - 150 V

集电极—基极电压 VCBO: - 160 V

发射极 - 基极电压 VEBO: - 5 V

集电极—射极饱和电压: - 150 mV

最大直流电集电极电流: - 60 mA

Pd-功率耗散: 130 mW

增益带宽产品fT: 180 MHz

商标: onsemi

集电极连续电流: - 50 mA

直流集电极/Base Gain hfe Min: 20

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors

技术: Si

单位重量: 1.275 mg

温度: - 55 C~+ 150 C

NSVMMBT5401M3T5G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 60 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 150 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 600mV 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 60 10mA,5V
功率 - 最大值: 130 mW
频率 - 跃迁: 180MHz
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-723
供应商器件封装: SOT-723
温度: -55°C # 150°C(TJ)