品牌： onsemi

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 25 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 700mV 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 250 100mA，1V

功率 - 最大值： 225 mW

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 25 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 700mV 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 250 100mA，1V

功率 - 最大值： 225 mW

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 25 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 700mV 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 250 100mA，1V

功率 - 最大值： 225 mW

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： NPN

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 700mV @ 50mA, 500mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 250 @ 100mA, 1V

Frequency - Transition： 100MHz

Supplier Device Package： SOT-23-3 (TO-236)

Current - Collector (Ic) (Max)： 500 mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 25 V

Power - Max： 225 mW

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： NPN

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 700mV @ 50mA, 500mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 250 @ 100mA, 1V

Frequency - Transition： 100MHz

Supplier Device Package： SOT-23-3 (TO-236)

Current - Collector (Ic) (Max)： 500 mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 25 V

Power - Max： 225 mW

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： NPN

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 700mV @ 50mA, 500mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 250 @ 100mA, 1V

Frequency - Transition： 100MHz

Supplier Device Package： SOT-23-3 (TO-236)

Current - Collector (Ic) (Max)： 500 mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 25 V

Power - Max： 225 mW

品牌： onsemi

包装： Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOT-23-3

系列： BC818

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

晶体管极性： NPN

资格： AEC-Q101

商标： onsemi

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

温度： ~